[發明專利]太陽能電池芯片及其制作方法

在審

• 申請號: 201811545801.0
• 申請日: 2018-12-17
• 公開（公告）號: CN109585577A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 黃亮;謝新雷;李剛;姜廣增
• 申請（專利權）人: 北京漢能光伏投資有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348
• 代理人: 王偉鋒;劉鐵生

1.一種太陽能電池芯片，包括基板和第一電極層，其特征在于，所述太陽能電池芯片還包括依次形成于所述基板表面的SiO₂膜層，形成于所述SiO₂膜層表面的SiON_x膜層，其中x大于或等于0.2，且小于或等于1.1，以及形成于所述SiON_x膜層表面的Si₃N₄膜層，所述第一電極層形成于所述Si₃N₄膜層表面。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池芯片，其特征在于，所述SiON_x膜層為SiO₂和Si₃N₄的混合物，所述SiON_x膜層的厚度為

3.根據權利要求1所述的太陽能電池芯片，其特征在于，所述SiO₂膜層的厚度為

4.根據權利要求1所述的太陽能電池芯片，其特征在于，所述Si₃N₄膜層的厚度為

5.根據權利要求1所述的太陽能電池芯片，其特征在于，所述太陽能電池芯片還包括形成于所述第一電極層表面的半導體層，和形成于所述半導體層表面的透光的第二電極層，所述太陽能電池芯片具有多個貫通所述半導體層的P2刻劃槽，每個P2刻劃槽的一端由所述第一電極層封閉，每個P2刻劃槽由所述第二電極層填充。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池芯片，其特征在于，所述第一電極層具有多個貫通所述第一電極層的P1刻劃槽，每個P1刻劃槽的一端由所述半導體層封閉，另一端由所述Si₃N₄膜層封閉。

7.一種太陽能電池芯片的制作方法，其特征在于，包括：在基板表面形成SiO₂膜層；在所述SiO₂膜層表面形成SiON_x膜層，其中x大于或等于0.2，且小于或等于1.1；在所述SiON_x層表面形成Si₃N₄膜層；在所述Si₃N₄膜層表面形成第一電極層。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括在所述第一電極層形成多個貫通所述第一電極層的P1刻劃槽。

9.根據權利要求8所述的太陽能電池芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括在所述第一電極層表面形成半導體層。

10.根據權利要求9所述的太陽能電池芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括形成多個貫通所述半導體層的P2刻劃槽；和在所述半導體表面形成透光的第二電極層，所述第二電極層還填充所述P2刻劃槽。