[發明專利]AMOLED柔性顯示裝置有效
| 申請號: | 201811545485.7 | 申請日: | 2018-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN109545837B | 公開(公告)日: | 2020-10-13 |
| 發明(設計)人: | 劉長瑜 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G06K9/00 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂;程曉 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | amoled 柔性 顯示裝置 | ||
本發明提供一種AMOLED柔性顯示裝置,包括AMOLED屏體及圖像傳感器,所述AMOLED屏體包括柔性基板、TFT層、OLED層及封裝層,所述柔性基板包括指紋識別區域及剩余的非指紋識別區域,圖像傳感器對應設置在柔性基板的指紋識別區域,所述柔性基板的非指紋識別區域為雙有機層結構,包括兩層有機層及設于該兩層有機層之間的無機間隔層,而指紋識別區域為單有機層結構,只包括一層有機層,從而提高了指紋識別區域的穿透率,增大了圖像傳感器接收到的光的強度,提高了指紋識別的準確度,同時由于提高了指紋識別區域的穿透率則可以降低AMOLED屏體對應該區域的OLED發光強度,進而可延長該區域的OLED壽命。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種具有指紋識別功能的AMOLED柔性顯示裝置。
背景技術
有源矩陣有機電致發光二極體(Active-matrix organic light emittingdiode,簡稱AMOLED)屬于一種自主發光技術。與液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)相比,自主發光的AMOLED顯示器不需要背光源,具有響應速度快、對比度高、視角廣、低功耗、可折疊、重量輕、厚度薄,構造簡單,成本低等優勢,被業內普遍看好,業界一致認為OLED顯示器極有可能成為下一代顯示技術的主流產品。
隨著顯示技術的發展,顯示裝置的顯示效果越來越好,給人們帶來了良好的視覺體驗,但由于生活水平的提高,人們對顯示裝置的要求不僅局限于顯示效果,還要求顯示其具有多樣化的功能。因此,指紋識別和柔性顯示面板被廣泛地應用于手機、個人數字助理(PDA)、電腦等電子設備的顯示屏中。
目前,業界主要采用的指紋識別技術為電容式指紋識別技術和光學指紋技術,電容式指紋識別技術利用手指的嵴和峪與感應電極之間所形成的電容值的大小來探測手指的嵴和峪的位置從而形成指紋圖像信息。光學指紋技術則通過感光元件獲取手指表層反射光線信息,最終拼接成完整的指紋成像信息。現有的電容式指紋識別技術需要另外在指紋觸摸位置單獨設置觸覺開關、電容元件、和指紋識別傳感器等硬件設備,提高了制程時間與設計成本,且該技術的指紋識別無法設置于顯示區。
光學指紋技術需要自有光源進行指紋采集,通常采用終端設備的顯示屏幕作為發光主體,通過光路照射到手指的指紋,返回的光線再通過屏幕返回到屏幕下方的圖像傳感器(Photo Sensor),終端設備針對返回的圖像與數據庫進行分析對比,最終識別指紋。圖1為具有指紋識別功能的AMOLED柔性顯示裝置的工作原理圖,AMOLED屏100發出的光經其內的各膜層照射到手指,經手指折射后,再次經過各膜層,最后被AMOLED屏100下方設置的圖像傳感器200接收、識別,所以為增加指紋識別的準確度,需提高圖像傳感器200接受到的光的強度,即需提高光的穿透率。而目前市場上的具有屏幕指紋識別功能的手機、PAD等終端設備,對顯示屏幕并未作特殊設計,終端設備屏幕內各膜層疊加起來,光線穿透屏幕率極低,導致圖像傳感器200接收到的亮度低,降低了指紋識別的準確度。
發明內容
本發明的目的在于提供一種AMOLED柔性顯示裝置,能夠提高指紋識別區域的穿透率,增大圖像傳感器接收到的光的強度,提高指紋識別的準確度。
為實現上述目的,本發明提供了一種AMOLED柔性顯示裝置,包括AMOLED屏體及設在所述AMOLED屏體背面的圖像傳感器;
所述AMOLED屏體包括柔性基板及依次設于所述柔性基板上的TFT層、OLED層及封裝層;
所述柔性基板包括指紋識別區域及剩余的非指紋識別區域;
所述圖像傳感器對應設置在所述柔性基板的指紋識別區域;
所述柔性基板的非指紋識別區域為雙有機層結構,包括靠近TFT層的第一有機層、遠離TFT層的第二有機層及設于所述第一有機層和第二有機層之間的無機間隔層;
所述柔性基板的指紋識別區域為單有機層結構,包括第一有機層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





