[發明專利]一種基于特征量的閃存壽命預測方法、系統及存儲介質

有效

• 申請號: 201811545443.3
• 申請日: 2018-12-17
• 公開（公告）號: CN109830255B
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 劉政林;潘玉茜;張浩明;李四林
• 申請（專利權）人: 武漢憶數存儲技術有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C29/56
• 代理公司: 武漢藍寶石專利代理事務所(特殊普通合伙) 42242
• 代理人: 廉海濤

1.一種基于特征量的閃存壽命預測方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟101，對需要進行壽命預測的閃存的特征量進行測量，保存測量所得的閃存特征量，所述的閃存的特征量至少包括閃存的編程時間、讀取時間、擦除時間、電流、芯片功耗、閾值電壓分布、存儲塊編號、存儲頁號、閃存當前經歷過的編程/擦除周期數、條件錯誤頁數、條件錯誤塊數、錯誤比特數和錯誤率中的一種或多種；

步驟102，對測量得到的特征量中的一種特征量或幾種特征量進行運算操作，保存特征量運算操作結果；

步驟103，將步驟101中測量得到的特征量及步驟102中特征量的運算操作結果構成集合，取集合中的子集按一定規則計算或判斷，通過計算或判斷結果預測閃存的使用壽命；

所述的取集合中的子集按一定規則計算或判斷，通過計算或判斷結果預測閃存的使用壽命，具體為：對樣本閃存測試數據進行多元線性回歸后得到的函數，將所述子集輸入函數，由函數計算閃存壽命的預測值；

在所述步驟101之前還包括生成多元線性回歸函數，包括以下步驟：

步驟001，將樣本閃存測試數據輸入多元線性回歸函數，函數形式為：

f(x)＝w₁x₁+w₂x₂+…+w_nx_n+b

其中，w_i和b為多元線性回歸函數參數；

步驟002，將樣本閃存測試數據輸入均方誤差公式，均方誤差公式為:

其中，y_i為樣本閃存測試數據對應的實際剩余壽命值；

步驟003，最小二乘法估計參數w_i和b的取值；

步驟004，將步驟003中估計的w_i和b的值帶入多元線性回歸函數，此多元線性回歸函數為閃存壽命預測函數。

2.根據權利要求1所述一種基于特征量的閃存壽命預測方法，其特征在于，所述閃存特征量的運算操作至少包括以下運算中一種或多種：特征量的線性運算、特征量的非線性運算、不同特征量間的線性運算、不同特征量間的非線性運算、計算不同存儲頁面特征量的最大值、計算不同存儲頁面特征量的最小值、不同存儲頁面特征量之間的線性運算、不同存儲頁面特征量之間的非線性運算、不同存儲塊特征量之間的線性運算、不同存儲塊特征量之間的非線性運算、計算不同存儲塊特征量的最大值和計算不同存儲塊特征量的最小值。

3.根據權利要求1所述一種基于特征量的閃存壽命預測方法，其特征在于，所述樣本閃存測試數據的獲取方法包括以下步驟：

步驟301，從閃存集合中隨機抽取樣本芯片，對樣本閃存進行預擦除操作；

步驟302，向樣本閃存發送測試數據集合，對樣本閃存執行寫入數據操作，記錄樣本閃存的編程時間及當前樣本閃存經歷的編程/擦除周期數；

步驟303，執行完編程數據操作并保持一定的數據保持時間tr之后，判斷所經歷的編程/擦除周期數是否滿足一定要求，若滿足要求，執行步驟304，不滿足要求則執行步驟305；其中，tr≥0；

步驟304，對樣本閃存執行讀數據操作并記錄讀取操作時間，將讀出數據與發送的測試數據進行比較，計算并保存錯誤比特數；

步驟305，保存完錯誤比特數后，對樣本閃存執行擦除數據操作，并記錄擦除操作時間；

步驟306，重復步驟302到步驟305，直到樣本閃存到達壽命極限；統計樣本閃存的總編程/擦除周期數。