[發明專利]存儲器件、差分只讀存儲器(ROM)器件及其操作方法

有效

• 申請號: 201811545186.3
• 申請日: 2018-12-17
• 公開（公告）號: CN110097899B
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 許國原;張美菁
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06;G11C7/18;G11C8/14
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種只讀存儲器(ROM)器件，包括：

預充電電路，配置為將BL和預充電至第一邏輯值；

存儲器單元，連接至所述BL或連接至所述以及

感測放大器，配置為：

響應于所述BL小于所述讀取存儲在所述存儲器單元內的第一邏輯值，以及

響應于所述BL大于所述讀取存儲在所述存儲器單元內的第二邏輯值，其中，所述第二邏輯值不同于所述第一邏輯值，

其中，所述存儲器單元在被激活時配置為：在所述存儲器單元連接至所述BL時將所述BL從所述第一邏輯值至少放電至小于所述第一邏輯值的讀取裕度值，并且在所述存儲器單元連接至所述時，將所述從所述第一邏輯值至少放電至所述讀取裕度值。

2.根據權利要求1所述的只讀存儲器器件，其中，所述感測放大器包括：

比較器，配置為將所述BL和所述進行比較。

3.根據權利要求1所述的只讀存儲器器件，還包括：存儲控制器配置為置位與所述存儲器單元相對應的字線(WL)以激活所述存儲器單元。

4.根據權利要求1所述的只讀存儲器器件，其中，所述存儲器單元包括：

開關器件，具有多個連接件，

其中，來自于所述多個連接件中的第一連接件連接至接地連接件，以及

其中，來自于所述多個連接件中的第二連接件連接至所述BL或連接至所述

5.根據權利要求3所述的只讀存儲器器件，其中，所述存儲控制器控制所述預充電電路的激活或禁用。

6.根據權利要求1所述的只讀存儲器器件，還包括：

開關電路配置為在所述BL和所述的預充電期間將所述BL和所述與所述感測放大器斷開。

7.一種存儲器件，包括：

多個存儲器單元，配置為多行和多列，所述多列中的每列連接至來自于多條差分位線(BL)中的對應差分位線；

預充電電路，配置為將與所述多個存儲器單元中的存儲器單元相對應的所述多條差分位線中的差分位線至少預充電至第一邏輯值；

存儲控制器，配置為激活所述存儲器單元，所述存儲器單元在被激活時配置為：當所述存儲器單元連接至來自于所述差分位線中的BL時，將所述BL至少放電至小于所述第一邏輯值的讀取裕度值，或當所述存儲器單元連接至來自于所述差分位線中的時，將所述至少放電至所述讀取裕度值；以及

感測放大器，配置為：

響應于所述BL的邏輯電壓值比所述的邏輯電壓值至少小所述讀取裕度值，讀取存儲在所述存儲器單元內的所述第一邏輯值，以及

響應于所述BL的邏輯電壓值比所述的邏輯電壓值至少大所述讀取裕度值，讀取存儲在所述存儲器單元內的第二邏輯值。

8.根據權利要求7所述的存儲器件，其中，所述存儲器件包括：

只讀存儲器(ROM)器件。

9.根據權利要求8所述的存儲器件，其中，所述多個存儲器單元中的每個存儲器單元在所述存儲器單元的制造期間連接至所述多條差分位線中的對應BL或來自于多條差分位線中的對應

10.根據權利要求7所述的存儲器件，其中，所述存儲器單元包括：

開關器件，具有多個連接件，

其中，來自于所述多個連接件中的第一連接件連接至接地連接件，以及

其中，來自于所述多個連接件中的第二連接件連接至所述BL或連接至所述

11.根據權利要求10所述的存儲器件，其中，所述開關器件包括：

n型金屬氧化物半導體場效應(NMOS)晶體管。

12.根據權利要求10所述的存儲器件，其中，所述開關器件包括：

偽多晶硅區，布置為提供介于所述開關器件和來自于所述多個存儲器單元中的其他存儲器單元的其他開關器件之間的電隔離。