[發明專利]一種電容耦合等離子體刻蝕設備

有效

• 申請號: 201811544979.3
• 申請日: 2018-12-17
• 公開（公告）號: CN111326389B
• 公開（公告）日: 2023-06-16
• 發明（設計）人: 黃允文;倪圖強;梁潔;趙金龍
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 黨麗;王寶筠

1.一種電容耦合等離子體刻蝕設備，其特征在于，包括：

腔體，所述腔體包括側壁和底壁，所述底壁具有開口；

設置于腔體內的上電極以及與所述上電極相對設置的基座，所述基座包括一下電極，所述下電極固定于導電支撐桿且位于所述開口之上；

固定于所述導電支撐桿下端的驅動裝置，所述驅動裝置驅動所述導電支撐桿軸向運動，所述驅動裝置分別電連接至射頻匹配器的輸出端和回流端；

所述基座通過可伸縮密封部與腔體底壁固定，使得所述下電極的上表面密封設置于所述腔體所在的容置空間內；

連接于所述腔體的電連接部，通過所述電連接部將所述腔體內的射頻電流返回至所述回流端；

固定于所述下電極外側的絕緣環以及固定于所述絕緣環外側的內導電環，所述電連接部為導電條，所述導電條連接于所述腔體底壁與所述內導電環之間，所述導電條的長度適應于所述可伸縮密封部的伸縮量；所述內導電環固定于所述可伸縮密封部，所述內導電環與所述腔體內側的射頻返回路徑具有間隔；所述腔體內的射頻電流從所述腔體底壁經過所述導電條后，依次流經所述內導電環的外側和內側后，從所述驅動裝置返回所述回流端；

位于所述底壁上的接地環，所述接地環與所述側壁之間為空腔，所述接地環為所述腔體內側的射頻返回路徑的一部分；

位于所述空腔之上的等離子約束環，所述等離子約束環與所述空腔構成排氣腔，所述等離子約束環包括導電部件；所述導電部件使得所述腔體內的射頻電流從所述腔體側壁經過所述等離子約束環后進入所述接地環；

其中，所述腔體內側的射頻返回路徑是指所述導電部件使得所述腔體內的射頻電流從所述腔體側壁經過所述等離子約束環后進入所述接地環，然后所述腔體內的射頻電流從所述腔體底壁經過所述導電條后，依次流經所述內導電環的外側和內側后，從所述驅動裝置返回所述回流端。

2.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述導電條為銅條。

3.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述可伸縮密封部為密封波紋管。

4.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述下電極上設置有靜電夾盤，所述絕緣環環繞所述下電極的側壁，在所述絕緣環上還設置有環繞所述靜電夾盤的聚焦環。

5.根據權利要求4所述的設備，其特征在于，還包括環繞所述聚焦環的邊緣環。

6.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述射頻匹配器的數量為一個或多個，多個射頻匹配器具有不同的頻率及功率。

7.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，還包括射頻濾波器，所述射頻濾波器電連接于所述驅動裝置和所述射頻匹配器之間，以作為射頻電流的輸出路徑和射頻返回路徑。