[發明專利]一種多層功率模塊在審
| 申請號: | 201811544846.6 | 申請日: | 2018-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN109585437A | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發明(設計)人: | 周衛國 | 申請(專利權)人: | 深圳市慧成功率電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/18 | 分類號: | H01L25/18;H01L23/48 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍崗*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 橋臂 絕緣基板 第二導電層 第一導電層 功率電極 橋臂功率 電連接 輸出電極 芯片電連接 功率模塊 多層 芯片 層疊設置 寄生電感 | ||
1.一種多層功率模塊,其特征在于,包括:第一功率電極、第二功率電極、輸出電極、層疊設置的第一絕緣基板、第二絕緣基板、第三絕緣基板,設置于第一絕緣基板和第二絕緣基板之間的第一橋臂功率芯片、與第一功率電極電連接的第一橋臂第一導電層、與輸出電極電連接的第一橋臂第二導電層,設置于第二絕緣基板和第三絕緣基板之間的第二橋臂功率芯片、與第二功率電極電連接的第二橋臂第二導電層、與輸出電極電連接的第二橋臂第一導電層;第一橋臂功率芯片電連接于第一橋臂第一導電層和第一橋臂第二導電層之間,第二橋臂功率芯片電連接于第二橋臂導第二導電層第二橋臂第一導電層之間。
2.根據權利要求1所述的功率模塊,其特征在于,第一橋臂第一導電層設置于第一絕緣基板與第二絕緣基板相對的表面上,第一橋臂第二導電層設置于第二絕緣基板與第一絕緣基板相對的表面上,第一橋臂功率芯片設置于第一橋臂第一導電層上;第二橋臂第二導電層設置于第二絕緣基板與第三絕緣基板相對的表面上,第二橋臂第一導電層設置于第三絕緣基板與第二絕緣基板相對的表面上,第二橋臂功率芯片設置于第二橋臂第一導電層上。
3.根據權利要求1所述的功率模塊,其特征在于,第一橋臂第一導電層設置于第一絕緣基板與第二絕緣基板相對的表面上,第一橋臂第二導電層設置于第二絕緣基板與第一絕緣基板相對的表面上,第一橋臂功率芯片設置于第一橋臂第一導電層上;第二橋臂第一導電層設置于第二絕緣基板與第三絕緣基板相對的表面上,第二橋臂第二導電層設置于第三絕緣基板與第二絕緣基板相對的表面上,第二橋臂功率芯片設置于第二橋臂第一導電層上。
4.根據權利要求1所述的功率模塊,其特征在于,第一橋臂第二導電層設置于第一絕緣基板與第二絕緣基板相對的表面上,第一橋臂第一導電層設置于第二絕緣基板與第一絕緣基板相對的表面上,第一橋臂功率芯片設置于第一橋臂第一導電層上;第二橋臂第一導電層設置于第二絕緣基板與第三絕緣基板相對的表面上,第二橋臂第二導電層設置于第三絕緣基板與第二絕緣基板相對的表面上,第二橋臂功率芯片設置于第二橋臂第一導電層上。
5.根據權利要求1所述的功率模塊,其特征在于,第一橋臂第二導電層設置于第一絕緣基板與第二絕緣基板相對的表面上,第一橋臂第一導電層設置于第二絕緣基板與第一絕緣基板相對的表面上,第一橋臂功率芯片設置于第一橋臂第一導電層上;第二橋臂第二導電層設置于第二絕緣基板與第三絕緣基板相對的表面上,第二橋臂第一導電層設置于第三絕緣基板與第二絕緣基板相對的表面上,第二橋臂功率芯片設置于第二橋臂第一導電層上。
6.根據權利要求1所述的功率模塊,其特征在于,包括多個第一橋臂第一導電層、多個第一橋臂功率芯片組、多個第二橋臂第一導電層、多個第二橋臂功率芯片組;各第一功率芯片組分別設置在對應的第一橋臂第一導電層上,多個第一橋臂第一導電層分別通過綁定線與第一功率電極電連接;各第二功率芯片組分別設置在對應的第二橋臂第一導電層上,多個第二橋臂第一導電層分別通過綁定線與輸出電極電連接。
7.根據權利要求1所述的功率模塊,其特征在于,還包括:第一橋臂導電柱、第二橋臂導電柱,第一橋臂功率芯片通過第一橋臂導電柱電連接于第一橋臂第一導電層和第一橋臂第二導電層之間,第二橋臂功率芯片通過第二橋臂導電柱電連接于第二橋臂導第二導電層第二橋臂第一導電層之間。
8.根據權利要求1所述的功率模塊,其特征在于,所述第一橋臂功率芯片和第二橋臂功率芯片包括功率MOS管以及反向并聯二極管。
9.根據權利要求1所述的功率模塊,其特征在于,所述第一橋臂功率芯片和第二橋臂功率芯片包括IGBT以及反向并聯二極管。
10.根據權利要求1所述的功率模塊,其特征在于,還包括設置于第一絕緣基板與第二絕緣基版之間與第一橋臂功率芯片控制端電連接的第一橋臂功率芯片控制導電層、設置于第二絕緣基板與第三絕緣基版之間與第二橋臂功率芯片控制端電連接的第二橋臂功率芯片控制導電層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市慧成功率電子有限公司,未經深圳市慧成功率電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811544846.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種穿插分支布局的功率模塊
- 下一篇:具有靜電放電保護的集成電路裝置
- 同類專利
- 專利分類





