[發(fā)明專利]一種二維氮摻雜多孔碳納米片及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811544499.7 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109360740B | 公開(公告)日: | 2020-07-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01G11/24 | 分類號(hào): | H01G11/24;H01G11/86;H01G11/30;H01G11/36;C01B32/15 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人: | 李靜 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 二維 摻雜 多孔 納米 及其 制備 方法 | ||
1.一種二維氮摻雜多孔碳納米片的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
碳納米片的制備:將碳材料前驅(qū)體在惰性氣體保護(hù)下進(jìn)行一次煅燒,降溫,制得碳納米片;
多孔碳納米片的制備:將碳納米片加入氧化酸性溶液中經(jīng)過氧化反應(yīng)制得多孔碳納米片;
二維氮摻雜多孔碳納米片的制備:將多孔碳納米片和表面活性劑加入水中,分散均勻,加入氮摻雜材料,溶解,混合均勻,干燥后研磨得混合物粉末,然后將混合物粉末在惰性氣體保護(hù)下進(jìn)行二次煅燒,降溫,制得二維氮摻雜多孔碳納米片,所述氧化酸性溶液為硫酸、硝酸和雙氧水的混合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維氮摻雜多孔碳納米片的制備方法,其特征在于:所述氧化酸性溶液為體積比為(0.5-2):(0.5-2):(0.5-2)的硫酸、硝酸和雙氧水的混合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二維氮摻雜多孔碳納米片的制備方法,其特征在于:所述硫酸、硝酸和雙氧水的體積比為1:1:1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的二維氮摻雜多孔碳納米片的制備方法,其特征在于:所述表面活性劑為十二烷基苯磺酸鈉、十二烷基硫酸鈉和十二烷基磺酸鈉中的一種或至少兩種的混合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的二維氮摻雜多孔碳納米片的制備方法,其特征在于:所述表面活性劑為十二烷基苯磺酸鈉。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的二維氮摻雜多孔碳納米片的制備方法,其特征在于:所述碳材料前驅(qū)體為檸檬酸鉀或檸檬酸鈉,碳材料與氧化酸性溶液的用量比為8-12g:450-550ml。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的二維氮摻雜多孔碳納米片的制備方法,其特征在于:所述氮摻雜材料為尿素或三聚氰胺,多孔碳納米材料、表面活性劑與氮摻雜材料的質(zhì)量比為(2:1:450)-(1:2:550)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的二維氮摻雜多孔碳納米片的制備方法,
一次煅燒過程中,以1-3℃/min的升溫速率緩慢升溫至800-900℃,保溫1-3h;
二次煅燒過程中,先以0.5-1.5℃/min的升溫速率緩慢升溫至500-600℃,保溫1-3h;然后以0.5-1.5℃/min的升溫速率緩慢升溫至800-900℃,保溫1-3h。
9.一種權(quán)利要求1-8中任一所述的制備方法制得的二維氮摻雜多孔碳納米片。
10.權(quán)利要求1-8中任一所述的制備方法制得的二維氮摻雜多孔碳納米片或權(quán)利要求9所述的二維氮摻雜多孔碳納米片的應(yīng)用,其特征在于,所述二維氮摻雜多孔碳納米片作為超級(jí)電容器的電極材料。
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