[發明專利]采用化學氣相沉積法生長β-Ga2 有效
| 申請號： | 201811542186.8 | 申請日： | 2018-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN109384258B | 公開（公告）日： | 2021-01-05 |
| 發明（設計）人： | 馮秋菊;石博;李昀錚;王德煜;高沖;李夢軻 | 申請（專利權）人： | 遼寧師范大學 |
| 主分類號： | C01G15/00 | 分類號： | C01G15/00 |
| 代理公司： | 大連非凡專利事務所 21220 | 代理人： | 閃紅霞 |
| 地址： | 116000 遼寧*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 采用 化學 沉積 生長 ga base sub | ||
【權利要求書】：
1.一種采用化學氣相沉積法生長β-Ga2O3微米線的方法，其特征在于按如下步驟進行：
a. 將純度大于99%的氧化鎵粉末和碳粉按質量比1：1.5混合后作為反應的源材料，將源材料放入石英舟內鋪平，在石英舟上放置有位于源材料正上方且長度大于源材料鋪平長度1~2cm的蓋片，然后再將石英舟推入化學氣相沉積設備石英管內的高溫加熱區，所述蓋片材質為藍寶石或石英；
b. 向石英管中通入氬氣作為載氣，氬氣流量為100ml/min；
c. 當加熱溫度達到1100～1200℃時通入氧氣，氧氣流量為100ml/min，生長時間為30分鐘；
d. 關閉氧氣，保持氬氣流量，降溫后取出石英舟，獲得產品。
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