[發明專利]形成半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 201811541978.3
• 申請日: 2018-12-17
• 公開（公告）號: CN110010614A
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發明（設計）人: M·S·托魯姆
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/11563
• 分類號: H01L27/11563;H01L27/1157
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種形成半導體裝置(350)的方法，其包括：

從結構中移除材料以在所述結構中形成開口(212)；

將由移除所述材料得到的殘余物(213)暴露于酒精氣體以形成揮發性化合物(217)；

以及

通過蒸發移除所述揮發性化合物(217)。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述揮發性化合物(217)包括揮發性固體，并且所述蒸發包括升華。

3.根據權利要求1所述的方法，其中通過蒸發移除揮發性化合物(217)包括在所述揮發性化合物(217)形成時蒸發所述揮發性化合物(217)。

4.根據權利要求1所述的方法，其中通過蒸發移除所述揮發性化合物(217)包括在某一溫度及壓力下移除揮發性化合物(217)，使得所述揮發性化合物(217)在所述揮發性化合物(217)形成時蒸發。

5.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的方法，其中所述酒精是無水酒精及甲醇中的一者。

6.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的方法，其中所述揮發性化合物(217)是三甲氧基鋁。

7.一種形成半導體裝置(350)的方法，其包括：

在結構中形成多個特征(211)；

使形成所述特征(211)所產生的殘余物(213)與酒精氣體反應以形成揮發性化合物(217)；以及

通過蒸發移除所述揮發性化合物(217)。

8.根據權利要求7所述的方法，其中通過蒸發移除所述揮發性化合物(217)包括在所述殘余物與所述酒精氣體反應的同時蒸發所述揮發性化合物(217)。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，

通過蒸發移除所述揮發性化合物(217)包括在所述殘余物(213)與所述酒精氣體完成反應之后蒸發所述揮發性化合物(217)；且

所述殘余物(213)在所述揮發性化合物(217)不蒸發的溫度及壓力下與所述酒精氣體反應。

10.根據權利要求7所述的方法，其中所述殘余物(213)在所述揮發性化合物(217)蒸發的溫度及壓力下與所述酒精氣體反應。

11.根據權利要求7到10中任一權利要求所述的方法，其中所述揮發性化合物(217)是金屬醇鹽材料及烷醇鋁材料中的一者。

12.權利要求7到10中任一權利要求所述的方法，其中所述殘余物(213)包含鹵化硅或鹵化鋁。

13.根據權利要求7到10中任一權利要求所述的方法，其中使所述殘余物(213)與所述酒精氣體反應在所述特征(211)上產生甲氧基封端的表面。

14.一種形成半導體裝置(350)的方法，其包括：

通過使用干式工藝移除材料的一部分在所述材料中形成開口(212)；

通過將形成所述開口(212)產生的殘余物(213)暴露于酒精氣體來形成揮發性金屬材料(217)；

通過蒸發所述揮發性金屬材料(217)來移除所述揮發性金屬材料(217)；以及

在移除所述揮發性金屬材料(217)之后，在所述開口中形成電介質材料(222)。

15.根據權利要求14所述的方法，其中在所述開口(212)中形成所述電介質材料(222)形成隔離區。

16.根據權利要求14所述的方法，其中形成所述開口(212)在所述開口(212)的任一側上形成存儲器單元。