[發明專利]一種光電探測器及其制造方法有效
| 申請號: | 201811541869.1 | 申請日: | 2018-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN109686756B | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發明(設計)人: | 李世彬;陳皓;顧一丁;張婷;王峰 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | H01L27/28 | 分類號: | H01L27/28 |
| 代理公司: | 成都其高專利代理事務所(特殊普通合伙) 51244 | 代理人: | 廖曾;賀立中 |
| 地址: | 610000 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光電 探測器 及其 制造 方法 | ||
本發明實例公開了一種光電探測器及其制造方法,該系統的原理:將有機聚合物與鈣鈦礦巧妙的結合,將光電探測與LED創新性的集成,系統受到不同波段光照射時,光電探測層將其吸收并產生電子空穴對,空穴注入到鈣鈦礦量子點發光層驅使其發光。由于不同波段的光被吸收產生的空穴數量不同,被激發的鈣鈦礦量子點不同,因此發光的波段也不同。此方法所提出的光電探測與顯示集成系統,具有小體積的優勢,對日后光電探測與顯示的集成有重要的推廣與實際意義。
技術領域
本發明涉及光電探測領域,尤其是涉及一種能夠探測紫外-可見-近紅外的光電探測器及其制造方法。
背景技術
隨著光電技術的發展,光電探測器和光電成像已經成為工業、生物醫療傳感以及軍事和民用領域必不可少的工具。近年來,由于有機-無機雜化鈣鈦礦材料由于其直接帶隙、高的載流子遷移率、大的載流子擴散長度和高的吸收系數而具有優異的光電性質,其在光伏、光電探測、LED發光等領域受到了廣泛的關注。
常用的鈣鈦礦材料包括有機-無機雜化的ABX3(A=MA、FA、Cs,B=Pb、Sn,X=Cl、Br、I),基于該類材料光電探測性能優異,但其波段通常無法覆蓋較寬的范圍,尤其是近紅外的波段難以被鈣鈦礦材料有效吸收并探測。
發明內容
本發明的一個實施例中,提供了一種制造光電探測器的方法,其特征在于,包括:獲取ITO襯底;用丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗ITO襯底,清洗完成后,在干燥箱中干燥;將PEDOT水溶液以4000rpm的轉速旋涂于ITO襯底上,并在140℃下退火20分鐘,從而在所述ITO襯底上形成PEDOT層;將MAI、PbI2和PbCl2溶解在體積比為2:1的無水DMF與DMSO混合溶液中,獲得MAPbIXCl3-X鈣鈦礦溶液;將能夠吸收近紅外波段的有機聚合物溶解于體積比為2:1的無水DMF與DMSO混合溶液中,獲得有機聚合物溶液;將所述MAPbIXCl3-X鈣鈦礦溶液和所述有機聚合物溶液以體積比1:2混合,并攪拌一小時,獲得第一混合溶液;將所述第一混合溶液以4000rpm的轉速旋涂至所述PEDOT層上,并進行退火處理,形成復合薄膜;將能夠發出多種不同顏色光的鈣鈦礦量子點溶解于己烷或辛烷中,旋涂于所述復合薄膜上,并進行退火處理,形成LED發光層;在所述LED發光層上通過熱蒸發沉積形成TPBi層;在所述TPBi層上通過熱蒸發沉積形成LiF/Al層。
一個實施例中,用丙酮、乙醇和去離子水分別超聲清洗所述ITO襯底15分鐘。
一個實施例中,所述復合薄膜能夠吸收紫外-可見-近紅外波段中不同波段的光,并且所述復合薄膜吸收不同波段的光產生不同的空穴。
一個實施例中,所述LED發光層被不同的空穴激發時發出不同顏色的光。
一個實施例中,所述復合薄膜能夠吸收不同波段的光產生不同的空穴,產生的該不同的空穴注入所述LED發光層,激發所述LED發光層中的不同量子點,使所述LED發光層發出不同顏色的光。
一個實施例中,所述LED發光層包括藍光鈣鈦礦量子點、紅光鈣鈦礦量子點和綠光鈣鈦礦量子點。
一個實施例中,當所述復合薄膜吸收紫外光時,所述復合薄膜產生能夠激發藍光鈣鈦礦量子點的空穴注入所述LED發光層中激發所述LED發光層中的所述藍光鈣鈦礦量子點,使得所述LED發光層發出藍光。
一個實施例中,當所述復合薄膜吸收可見光時,所述復合薄膜產生能夠激發藍光鈣鈦礦量子點、紅光鈣鈦礦量子點和綠光鈣鈦礦量子點的空穴注入所述LED發光層中同時激發所述藍光鈣鈦礦量子點、所述紅光鈣鈦礦量子點和所述綠光鈣鈦礦量子點,使得所述LED發光層發出白光。
一個實施例中,當所述復合薄膜吸收可見光時,所述復合薄膜產生能夠激發紅光鈣鈦礦量子點的空穴注入所述LED發光層中激發所述LED發光層中的所述紅光鈣鈦礦量子點,使得所述LED發光層發出紅光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





