[發明專利]一種III族氮化物半導體發光器件臺面刻蝕方法

有效

• 申請號: 201811541251.5
• 申請日: 2018-12-17
• 公開（公告）號: CN111326611B
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 徐厚強;蔣潔安;郭煒;葉繼春
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01S5/02
• 代理公司: 寧波甬致專利代理有限公司 33228
• 代理人: 張鴻飛

1.一種III族氮化物半導體發光器件臺面刻蝕方法，其特征在于：包括以下步驟：首先在襯底上外延生長緩沖層，并刻蝕緩沖層得到圖形化緩沖層襯底，在所述圖形化緩沖層襯底上外延生長具有橫向極性結構的發光器件外延層，所述橫向極性結構包括氮極性疇與金屬極性疇；然后采用濕法刻蝕工藝利用氮極性疇與金屬極性疇在刻蝕液中表現出的惰性差異對非惰性極性疇進行刻蝕。

2.根據權利要求1所述的III族氮化物半導體發光器件臺面刻蝕方法，其特征在于：所述襯底為藍寶石襯底、SiC襯底、Si襯底中的一種。

3.根據權利要求1所述的III族氮化物半導體發光器件臺面刻蝕方法，其特征在于：所述緩沖層為Al_（x）Ga_（1-x）N，其中0≤x≤1。

4.根據權利要求1所述的III族氮化物半導體發光器件臺面刻蝕方法，其特征在于：所述發光器件外延層包括n型電流擴展層、有源層、p型電流擴展層。

5.根據權利要求4所述的III族氮化物半導體發光器件臺面刻蝕方法，其特征在于：所述發光器件外延層包括應力釋放層、n型電流擴展層、有源層、p型電流擴展層。

6.根據權利要求5所述的III族氮化物半導體發光器件臺面刻蝕方法，其特征在于：所述有源層由量子阱層和電子阻擋層組成。

7.根據權利要求5所述的III族氮化物半導體發光器件臺面刻蝕方法，其特征在于：所述應力釋放層為GaN、AlN或AlGaN應力釋放層中的一種。

8. 根據權利要求1所述的III族氮化物半導體發光器件臺面刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）在襯底上外延生長緩沖層，并通過刻蝕工藝刻蝕緩沖層得到圖形化緩沖層襯底；

2）在所述圖形化緩沖層襯底上同時外延生長由氮極性疇與金屬極性疇組成的各層發光器件外延層，所述發光器件外延層至少包括n型電流擴展層、有源層、p型電流擴展層；發光器件外延層中每一層均具有氮極性疇與金屬極性疇；

3）采用濕法刻蝕工藝刻蝕每層發光器件外延層的氮極性疇至n型電流擴展層。

9.根據權利要求8所述的III族氮化物半導體發光器件臺面刻蝕方法，其特征在于：所述發光器件外延層為LED外延層或激光二極管外延層。

10.根據權利要求8所述的III族氮化物半導體發光器件臺面刻蝕方法，其特征在于：所述外延生長可以為MOCVD、磁控濺射、MBE晶體生長中的一種。