[發(fā)明專(zhuān)利]片狀Ni3

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811540762.5
• 申請(qǐng)日: 2018-12-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109686591B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王育喬;李紅顏;王青青;劉斯琦;孫岳明
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東南大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01G11/86
• 分類(lèi)號(hào): H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30;C01G53/11;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 南京蘇高專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.片狀Ni₃S₂包覆柱狀Ni₃S₂陣列電極的制備方法，其特征是，在柱狀的Ni₃S₂材料上引導(dǎo)生成片狀的Ni₃S₂，其制備步驟，包括以下方面：

（1）將Na₂S₂O₃·5H₂O和H₂O₂溶于去離子水中配置成溶液；

（2）將該溶液轉(zhuǎn)移至盛有預(yù)處理后的泡沫鎳的水熱反應(yīng)釜中，進(jìn)行高溫水熱反應(yīng)；

（3）將反應(yīng)冷卻至室溫，取出片狀Ni₃S₂包覆柱狀Ni₃S₂陣列電極材料的泡沫鎳清洗干凈，真空干燥，即得基于泡沫鎳基底生長(zhǎng)的片狀Ni₃S₂包覆柱狀Ni₃S₂陣列電極；

所述步驟（1）配置成的溶液中，Na₂S₂O₃·5H₂O在Na₂S₂O₃·5H₂O和H₂O₂溶于去離子水的體系中的濃度為5~20 mmol/L；

所述步驟（1）中H₂O₂占去離子水的體積分?jǐn)?shù)的0.4~4%。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片狀Ni₃S₂包覆柱狀Ni₃S₂陣列電極的制備方法，其特征是，泡沫鎳預(yù)處理的具體步驟為：將泡沫鎳依次放入稀鹽酸中超聲清洗20~30 min；蒸餾水清洗3~5次，一次5~10 min；無(wú)水乙醇清洗3~5次，一次5~10 min。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的片狀Ni₃S₂包覆柱狀Ni₃S₂陣列電極的制備方法，其特征是，所述稀鹽酸的濃度為1~3 mol/L。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片狀Ni₃S₂包覆柱狀Ni₃S₂陣列電極的制備方法，其特征是，步驟（2）中的水熱反應(yīng)的溫度是100~150 ℃，反應(yīng)時(shí)間為1~3 h。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片狀Ni₃S₂包覆柱狀Ni₃S₂陣列電極的制備方法，其特征是，步驟（3）中的真空干燥的溫度為60~80℃，干燥時(shí)間為10~12 h。

6.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4或5所述的方法制備的片狀Ni₃S₂包覆柱狀Ni₃S₂陣列電極，其特征是，在Ni₃S₂納米棒的表面包覆有Ni₃S₂納米薄片。

7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4或5所述的方法制備的片狀Ni₃S₂包覆柱狀Ni₃S₂陣列電極，其特征是，應(yīng)用于超級(jí)電容器中，作為超級(jí)電容器的電極。