[發(fā)明專利]一種高性能立方織構(gòu)金屬基帶及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811540577.6 | 申請日： | 2018-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN109371284B | 公開（公告）日： | 2020-11-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉志勇;劉朋飛;黎文峰;尚淑英;劉海瑞 | 申請（專利權(quán)）人： | 河南師范大學(xué) |
| 主分類號： | C22C14/00 | 分類號： | C22C14/00;C22C1/02;C22F1/18;C21D9/52;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京卓嵐智財(cái)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11624 | 代理人： | 郭智 |
| 地址： | 453007 河*** | 國省代碼： | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 性能 立方 金屬 基帶 及其 制備 方法 | ||
1.一種高性能立方織構(gòu)金屬基帶，包括厚度為30μm～40μm的冷軋Ti合金帶材以及在該Ti合金帶材表面通過磁控濺射形成的Ni-9.3at.％W合金薄膜，所述Ti合金帶材中Al的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為7％～10％，所述Ni-9.3at.％W合金薄膜厚度為100nm～500nm，并且，在通過磁控濺射形成所述Ni-9.3at.％W合金薄膜前，所述冷軋Ti合金帶材被加熱至1390℃～1420℃保溫10min～15min，然后被立即空冷，在形成所述Ni-9.3at.％W合金薄膜后，所述冷軋Ti合金帶材在1260℃～1300℃的溫度保溫15min。
2.一種如權(quán)利要求1所述的高性能立方織構(gòu)金屬基帶的制備方法，包括以下步驟：
步驟1：Ti合金帶材的制備：
采用熔煉法獲得Ti-Al合金鑄錠，其中Al的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為7％～10％，通過冷軋得到最終厚度為30μm～40μm的冷軋Ti合金帶材；
步驟2：對冷軋Ti合金進(jìn)行固溶處理：
將上述冷軋Ti合金帶材加熱至1390℃～1420℃保溫10min～15min，然后立即空冷；
步驟3：Ti合金表面采用磁控濺射Ni-9.3at.％W合金薄膜：
將上述固溶處理后的Ti合金帶材表面采用磁控濺射的方法沉積一層厚度為100nm～500nm的Ni-9.3at.％W合金，其中真空度為0.2～0.8Pa，濺射功率為200W～270W；
步驟4：對前述Ni-9.3at.％W合金薄膜進(jìn)行熱處理：
將磁控濺射后的合金帶材進(jìn)行熱處理，具體工藝為：1260℃～1300℃保溫15min。
3.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其中，步驟1中，Al的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為8％，通過冷軋得到的冷軋Ti合金帶材的最終厚度為40μm。
4.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其中，步驟1中，Al的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為7％，通過冷軋得到的冷軋Ti合金帶材的最終厚度為30μm。
5.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其中，步驟2中，將所述冷軋Ti合金帶材加熱至1390℃保溫10min～15min，然后立即空冷。
6.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其中，步驟2中，將所述冷軋Ti合金帶材加熱至1420℃保溫10min～15min，然后立即空冷。
7.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其中，步驟3中，Ni-9.3at.％W合金的厚度為100nm，真空度為0.2Pa，濺射功率為200W～270W。
8.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其中，步驟3中，Ni-9.3at.％W合金的厚度為500nm，真空度為0.8Pa，濺射功率為270W。
9.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其中，步驟4中以1260℃保溫15min。
10.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其中，步驟4中以1300℃保溫15min。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于河南師范大學(xué)，未經(jīng)河南師范大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811540577.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
