[發明專利]一種芯片扇出的封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201811540271.0
• 申請日: 2018-12-17
• 公開（公告）號: CN109637985B
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 任玉龍;孫鵬
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/48;H01L21/60
• 代理公司: 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張東梅

1.一種芯片扇出的封裝結構，包括：

芯片載片，所述芯片載片具有第一嵌入槽；

芯片，所述芯片設置在所述第一嵌入槽中；

背面金屬，所述背面金屬設置在所述芯片的背面；

塑封層，所述塑封層一部分填充所述芯片與所述嵌入槽之間的間隙，所述塑封層實現對所述芯片正面與所述芯片載片的晶圓重構，并露出所述芯片的焊接結構；

重新布局布線層RDL，所述重新布局布線層RDL實現對所述芯片引腳的扇出功能；以及

外接焊球，所述外接焊球設置在所述重新布局布線層RDL最外層的外接焊盤上，

其中所述芯片載片還具有第二嵌入槽，所述第二嵌入槽用于容納所述芯片的所述焊接結構。

2.如權利要求1所述的芯片扇出的封裝結構，其特征在于，所述芯片載片為硅片或玻璃片。

3.如權利要求1所述的芯片扇出的封裝結構，其特征在于，還包括貼片層，所述貼片層設置在所述芯片正面靠近邊緣位置將所述芯片固定到所述芯片載片。

4.如權利要求1所述的芯片扇出的封裝結構，其特征在于，所述重新布局布線層(RDL)具有N層布線，其中N≥2。

5.如權利要求1或4所述的芯片扇出的封裝結構，其特征在于，還包括設置在所述重新布局布線層RDL中相鄰兩層之間和/或所述重新布局布線層RDL上方的鈍化層。

6.一種芯片扇出的封裝結構的制造方法，包括：

提供芯片載片，所述芯片載片的正面預設有第一嵌入槽和第二嵌入槽；

將芯片倒裝貼片至所述芯片載片的第一嵌入槽中；

進行所述芯片與所述芯片載片之間間隙的填膠，形成第一塑封層；

在所述芯片的背面形成背面金屬層；

進行所述芯片載片的背面減薄，露出所述第二嵌入槽；

在所述芯片載片的背面及所述第二嵌入槽中進行填膠，形成第二塑封層；

減薄所述第二塑封層及所述芯片載片的背面，露出所述芯片的焊接結構；

進行重新布局布線層制作；以及

形成外接焊球。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述進行重新布局布線層制作實現對所述芯片引腳的扇出功能。