[發明專利]一種半導體激光器芯片及其制作方法在審
| 申請號： | 201811538852.0 | 申請日： | 2018-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN109638639A | 公開（公告）日： | 2019-04-16 |
| 發明（設計）人： | 顏建;蔣培 | 申請（專利權）人： | 蘇州矩陣光電有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/042 | 分類號： | H01S5/042;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人： | 朱靜謙 |
| 地址： | 215614 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 外延結構 雙面拋光 襯底 太陽能電池 半導體激光器芯片 激光器 金屬熱沉 金線 半導體技術領域 半導體激光器 電極連接 電氣連接 集成度 正反面 熱沉 制作 背面 摻雜 供電 生長 | ||
1.一種半導體激光器芯片，其特征在于，包括：
雙面拋光襯底(10)；
激光器外延結構(20)，設置于所述雙面拋光襯底(10)的正面；
太陽能電池外延結構(30)，設置于所述雙面拋光襯底(10)的背面；
金屬熱沉(40)，設置于所述激光器外延結構(20)遠離所述雙面拋光襯底(10)的一側，與所述激光器外延結構(20)的電極(21)連接；
金線(50)，所述太陽能電池外延結構(30)的P面電極(31)通過金線(50)與所述金屬熱沉(40)連接；
其中，所述雙面拋光襯底(10)為N型摻雜的GaAs或InP，厚度為300μm至400μm，且其摻雜濃度大于1E19cm3。
2.根據權利要求1所述的一種半導體激光器芯片，其特征在于，所述太陽能電池外延結構(30)和所述激光器外延結構(20)的外延層的晶格常數與所述雙面拋光襯底(10)的晶格常數一致。
3.根據權利要求1所述的一種半導體激光器芯片，其特征在于，在所述雙面拋光襯底(10)為GaAs襯底時，所述激光器外延結構(20)為AlGaAs結構的半導體激光器。
4.根據權利要求1所述的一種半導體激光器芯片，其特征在于，所述太陽能電池外延結構(30)為GaAs子電池和GaInP子電池組成的多結太陽能電池。
5.根據權利要求1所述的一種半導體激光器芯片，其特征在于，在所述激光器外延結構(20)表面形成脊形波導區(22)。
6.根據權利要求1所述的一種半導體激光器芯片，其特征在于，在所述太陽能電池外延結構(30)上層形成減反射膜(32)。
7.根據權利要求1至6中任一所述的半導體激光器芯片，其特征在于，所述半導體激光器芯片與所述太陽能電池外延結構(30)的尺寸一致。
8.一種半導體激光器芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
選取雙面拋光襯底(10)；
生成激光器外延結構(20)以及太陽能電池外延結構(30)；其中，所述激光器外延結構(20)，設置于所述雙面拋光襯底(10)的正面；所述太陽能電池外延結構(20)，設置于所述雙面拋光襯底(10)的背面；
設置金屬熱沉(40)；所述金屬熱沉(40)設置于所述激光器外延結構(20)遠離所述雙面拋光襯底(10)的一側，與所述激光器外延結構(20)的電極(21)連接；
設置金線(50)；所述太陽能電池外延結構(30)的P面電極(31)通過所述金線(50)與所述金屬熱沉(40)連接。
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