[發明專利]等離子處理裝置有效
| 申請號: | 201811538843.1 | 申請日: | 2018-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN109935512B | 公開(公告)日: | 2021-12-17 |
| 發明(設計)人: | 盧克·約瑟夫·辛貝勒;園田靖;植村崇;市丸朋祥;佐佐木惇也 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立高新技術 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 高穎 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子 處理 裝置 | ||
1.一種等離子處理裝置,具備:
處理室,對樣品進行等離子處理;
高頻電源,供給用于生成等離子的高頻電力;
樣品臺,載置所述樣品;和
氣體供給部,對所述處理室供給氣體,
所述等離子處理裝置的特征在于,
所述氣體供給部具備:
第一配管,將作為蝕刻處理用氣體的第一氣體供給到所述處理室;
第二配管,將作為蝕刻處理用氣體的第二氣體供給到所述處理室;和
第三配管,流過作為沉積處理用氣體的第三氣體并與所述第二配管連接,
所述第二配管配置有作為常閉型空氣驅動閥的第二閥和防止所述第三氣體流向所述第二氣體的供給源的方向的第四閥,
所述第一配管配置有作為常閉型空氣驅動閥的第一閥,
所述第三配管配置有作為常閉型空氣驅動閥的第三閥,
所述第四閥是常開型空氣驅動閥。
2.根據權利要求1所述的等離子處理裝置,其特征在于,
所述第四閥配置在比所述第二閥更接近所述處理室的位置。
3.根據權利要求1所述的等離子處理裝置,其特征在于,
所述等離子處理裝置還具備:
控制裝置,控制所述第一閥和所述第二閥,使得在所述第一閥打開的情況下,使所述第二閥打開,在所述第一閥閉合的情況下,使所述第二閥閉合。
4.根據權利要求3所述的等離子處理裝置,其特征在于,
所述控制裝置在對所述處理室供給所述第三氣體的情況下,對所述處理室供給所述第一氣體并使所述第四閥閉合,
所述第一氣體是惰性氣體。
5.根據權利要求1所述的等離子處理裝置,其特征在于,
所述等離子處理裝置還具備:
三位置彈簧復位中央排氣型五端口電磁閥,控制用于驅動所述第二閥和所述第三閥的空氣。
6.根據權利要求1所述的等離子處理裝置,其特征在于,
所述等離子處理裝置還具備:
空氣回路,控制用于驅動所述第一閥和所述第四閥的空氣,
所述空氣回路具備邏輯回路部,該邏輯回路部構成成為所述第一閥和所述第四閥的開閉條件的邏輯回路的OR或AND。
7.根據權利要求6所述的等離子處理裝置,其特征在于,
所述第一閥和所述第四閥經由以從所述邏輯回路部供給的空氣為信號的先導閥而開閉。
8.根據權利要求4所述的等離子處理裝置,其特征在于,
所述等離子處理裝置還具備:
氣體供給板,配置將氣體供給到所述處理室內的多個氣體孔且配置于所述處理室的上部,
所述第一配管與所述處理室連接,使得所述第一氣體經過所述氣體供給板供給到所述處理室,
所述第二配管與所述處理室連接,使得所述第二氣體從所述氣體供給板與所述樣品臺之間的高度供給到所述處理室。
9.根據權利要求8所述的等離子處理裝置,其特征在于,
所述等離子處理裝置還具備:
磁場形成機構,在所述處理室內形成磁場,
所述高頻電力是微波的高頻電力。
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