[發(fā)明專利]顯示面板以及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811537631.1 | 申請日: | 2018-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN109671755A | 公開(公告)日: | 2019-04-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 郭慶勛;王碩晟 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09F9/30 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機發(fā)光二極管層 柔性顯示面板 間隔設置 硬化 柔性基底 顯示裝置 間隙處 像素 使用壽命 顯示面板 子像素 申請 斷裂 | ||
1.一種柔性顯示面板,其特征在于,包括:
柔性基底;
有機發(fā)光二極管層,所述有機發(fā)光二極管層設置在所述柔性基底上,所述有機發(fā)光二極管層包括間隔設置的多個子像素;
其中,所述有機發(fā)光二極管層內(nèi)設置有硬化塊,所述硬化塊對應設置在間隔設置的多個所述子像素之間的間隙處。
2.根據(jù)權利要求1所述的柔性顯示面板,其特征在于,所述有機發(fā)光二極管層包括:
層疊設置在所述柔性基底上的有源層、第一絕緣層、柵極層、第二絕緣層、源漏極層、平坦層、陽極層、有機發(fā)光層以及陰極層;
其中,所述有源層在所述柔性基底上的正投影、所述柵極層在所述柔性基底上的正投影、所述源漏極在所述柔性基底上的正投影、所述陽極層在所述柔性基底上的正投影以及所述陰極層在所述柔性基底上的正投影均位于相鄰所述硬化塊在所述柔性基底上的正投影之間。
3.根據(jù)權利要求2所述的柔性顯示面板,其特征在于,相鄰所述硬化塊位于相同層,且相鄰所述硬化塊與所述第一絕緣層、第二絕緣層或平坦層位于相同層。
4.根據(jù)權利要求2所述的柔性顯示面板,其特征在于,相鄰所述硬化塊位于不同層,且所述硬化塊位于所述第一絕緣層、第二絕緣層或平坦層之中。
5.根據(jù)權利要求1所述的柔性顯示面板,其特征在于,所述柔性顯示面板還包括走線層,所述走線層設置在所述有機發(fā)光二極管層上;
其中,所述走線層為網(wǎng)格狀結構,所述網(wǎng)格狀走線層中的走線均對應設置在所述多個子像素之間的間隙處,所述走線層在所述柔性基底上的正投影與所述硬化塊在所述柔性基底上的正投影重合。
6.根據(jù)權利要求1所述的柔性顯示面板,其特征在于,所述硬化塊包括多個對應設置在所述柔性基底的彎折區(qū)上的硬化塊,以及多個對應設置在所述柔性基底的非彎折區(qū)上的硬化塊;其中,對應設置在所述柔性基底的彎折區(qū)上的硬化塊的數(shù)量大于對應設置在所述柔性基底的非彎折區(qū)上的硬化塊的數(shù)量。
7.根據(jù)權利要求1所述的柔性顯示面板,其特征在于,所述硬化塊包括多個對應設置在所述柔性基底的彎折區(qū)上的硬化塊,以及多個對應設置在所述柔性基底的非彎折區(qū)上的硬化塊;其中,對應設置在所述柔性基底的彎折區(qū)上的硬化塊的數(shù)量等于對應設置在所述柔性基底的非彎折區(qū)上的硬化塊的數(shù)量。
8.根據(jù)權利要求1所述的柔性顯示面板,其特征在于,所述柔性顯示面板還包括封裝層;其中,所述封裝層設置在所述有機發(fā)光二極管層與所述走線層之間,且所述封裝層覆蓋所述有機發(fā)光二極管層。
9.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述硬化塊的材料為紫外固化樹脂。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括柔性顯示面板;
所述柔性顯示面板包括:
柔性基底;
有機發(fā)光二極管層,所述有機發(fā)光二極管層設置在所述柔性基底上,所述有機發(fā)光二極管層包括間隔設置的多個子像素;
其中,所述有機發(fā)光二極管層內(nèi)設置有硬化塊,所述硬化塊對應設置在間隔設置的多個所述子像素之間的間隙處。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





