[發(fā)明專利]一種半導體晶片光電化學機械拋光加工裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811537196.2 | 申請日： | 2018-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN109465739B | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 康仁科;時康;董志剛;歐李葦;朱祥龍;周平 | 申請（專利權）人： | 大連理工大學 |
| 主分類號： | B24B37/00 | 分類號： | B24B37/00;B24B41/00;B24B57/00 |
| 代理公司： | 大連東方專利代理有限責任公司 21212 | 代理人： | 趙淑梅;李馨 |
| 地址： | 116024 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 晶片 光電 化學 機械拋光 加工 裝置 | ||
1.半導體晶片光電化學機械拋光加工裝置，
包括：
具有通孔的拋光墊；
具有通孔的拋光盤，用于帶動拋光墊對晶片表面進行機械拋光；
拋光液源，用于供給拋光液，拋光液透過拋光盤和拋光墊的通孔滴于晶片表面；
紫外光源，用于供給紫外光，紫外光透過拋光盤和拋光墊的通孔輻射晶片；
和外電源；
晶片接通外電源的正極、拋光盤接通外電源的負極；所述外電源、晶片、拋光盤構成閉合回路；
所述拋光盤和拋光墊位于晶片的上方，紫外光源位于拋光盤和拋光墊的上方；所述拋光液源為拋光液噴頭，拋光液噴頭位于所述拋光盤上方；
所述拋光盤的通孔呈從中心向外周的放射狀布局；所述晶片轉(zhuǎn)速100-250rpm，拋光盤轉(zhuǎn)速60-150rpm。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體晶片光電化學機械拋光加工裝置，其特征在于，所述拋光盤的通孔、拋光墊的通孔的布局一致。
3.半導體晶片光電化學機械拋光加工裝置，
包括：
具有通孔的拋光墊；
具有通孔的拋光盤，用于帶動拋光墊對晶片表面進行機械拋光；
具有通孔的對電極盤，位于拋光盤與拋光墊之間；
拋光液源，用于供給拋光液，拋光液透過拋光盤和拋光墊的通孔滴于晶片表面；
紫外光源，用于供給紫外光，紫外光透過拋光盤和拋光墊的通孔輻射晶片；
和外電源；
晶片接通外電源的正極、對電極盤接通外電源的負極；所述外電源、晶片、對電極盤構成閉合回路；
所述拋光盤和拋光墊位于晶片的上方，紫外光源位于拋光盤和拋光墊的上方；所述拋光液源為拋光液噴頭，拋光液噴頭位于所述拋光盤上方；
所述拋光盤的通孔呈從中心向外周的放射狀布局；所述晶片轉(zhuǎn)速100-250rpm，拋光盤轉(zhuǎn)速60-150rpm。
4.根據(jù)權利要求3所述的半導體晶片光電化學機械拋光加工裝置，其特征在于，所述拋光盤的通孔、對電極盤的通孔、拋光墊的通孔的布局一致。
5.根據(jù)權利要求1或3所述的半導體晶片光電化學機械拋光加工裝置，其特征在于，所述拋光液為化學拋光液，化學拋光液中包括磨粒。
6.根據(jù)權利要求1或3所述的半導體晶片光電化學機械拋光加工裝置，其特征在于，所述拋光盤的通孔在拋光盤的徑向上呈周期性分布。
7.根據(jù)權利要求6所述的半導體晶片光電化學機械拋光加工裝置，其特征在于，拋光盤的中心部不設通孔，僅于拋光盤的外周部的與晶片接觸的位置設通孔。
8.根據(jù)權利要求1或3所述的半導體晶片光電化學機械拋光加工裝置，其特征在于，所述外電源是直流電源，恒電位儀，電化學工作站，干電池中的一種或幾種。
9.根據(jù)權利要求1或3所述的半導體晶片光電化學機械拋光加工裝置，其特征在于，所述拋光墊的面積大于晶片的面積；所述拋光墊的通孔設置于與晶片接觸的部位。
10.根據(jù)權利要求9所述的半導體晶片光電化學機械拋光加工裝置，其特征在于，所述拋光墊的半徑大于晶片的直徑；所述拋光盤的半徑大于晶片的直徑。
11.根據(jù)權利要求1或3所述的半導體晶片光電化學機械拋光加工裝置，其特征在于，所述裝置的光電化學與機械作用的面積比為1:12~1:1。
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