[發(fā)明專利]一種高質(zhì)量CsPbI2

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811536770.2
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN109638162B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓修訓(xùn);董琛
• 申請（專利權(quán)）人: 江西理工大學(xué)
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/48
• 代理公司: 甘肅省知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)中心代理有限公司 62100
• 代理人: 陶濤

1.一種高質(zhì)量CsPbI₂Br無機(jī)鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，該制備方法包括以下步驟：

（1）PbI₂溶液的制備：將PbI₂溶解于DMF中，得到PbI₂的DMF溶液，然后于PbI₂的DMF溶液中加入與PbI₂等摩爾質(zhì)量的DMSO，加熱攪拌，得到黃色澄清的PbI₂溶液；

（2）CsBr溶液的制備：將CsBr溶解于甲醇中，磁力攪拌，得到濃度為0.05~0.06 mol/L的CsBr溶液；

（3）PbI₂多孔中間相薄膜的制備：量取80~100μL PbI₂溶液滴加在基底上，在1500~3000r/min的轉(zhuǎn)速下旋轉(zhuǎn)20~40s，得到濕潤的PbI₂前驅(qū)體薄膜；然后將200~300μL的綠色反溶劑迅速滴加在PbI₂前驅(qū)體薄膜上，靜置；最后在3000~5000 r/min的轉(zhuǎn)速下旋轉(zhuǎn)20~40s，得到晶粒取向分布隨機(jī)的PbI₂多孔中間相薄膜；

（4）CsPbI₂Br無機(jī)鈣鈦礦薄膜的制備：將步驟（3）制備的PbI₂前驅(qū)體薄膜置于旋涂機(jī)上，設(shè)置轉(zhuǎn)速為3000~4000r/min；待旋涂機(jī)轉(zhuǎn)速升至最高后，將15~20μL的CsBr溶液分5次滴涂到旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的PbI₂前驅(qū)體薄膜上，每滴完一次，待顏色變化完全后再進(jìn)行下一次滴涂，全部滴涂操作完成后再旋涂20~30s；最后將薄膜置于加熱板上，經(jīng)后退火過程得到CsPbI₂Br無機(jī)鈣鈦礦薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高質(zhì)量CsPbI₂Br無機(jī)鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，所述PbI₂的DMF溶液其濃度為0.5~1.0mol/L。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高質(zhì)量CsPbI₂Br無機(jī)鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，所述的加熱攪拌是指在60~70℃下攪拌1h~2h。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的高質(zhì)量CsPbI₂Br無機(jī)鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，所述基底為致密二氧化鈦層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的高質(zhì)量CsPbI₂Br無機(jī)鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，所述綠色反溶劑為異丙醇或者乙醇。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的高質(zhì)量CsPbI₂Br無機(jī)鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，所述靜置時間為5~10s。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的高質(zhì)量CsPbI₂Br無機(jī)鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（4）中，所述CsBr溶液的滴涂量為15~20μL，分5次滴涂。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的高質(zhì)量CsPbI₂Br無機(jī)鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（4）中，所述后退火過程是指在260~280℃下干燥5~10min。