[發明專利]一種過渡金屬包覆In2 有效
| 申請號: | 201811536428.2 | 申請日: | 2018-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN109659427B | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發明(設計)人: | 馮晶;李淑慧;葛振華;師曉莉 | 申請(專利權)人: | 昆明理工大學 |
| 主分類號: | H01L35/34 | 分類號: | H01L35/34;H01L35/14;H01L35/22 |
| 代理公司: | 昆明知道專利事務所(特殊普通合伙企業) 53116 | 代理人: | 謝喬良;張玉 |
| 地址: | 650500 云南*** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 過渡 金屬 in base sub | ||
本發明公開了一種過渡金屬包覆In2O3(ZnO)5核?殼結構熱電材料的制備方法,屬于新能源材料技術領域。其特征是,首先合成[bmim]BF4離子液體,后將In2O3(ZnO)5粉末經過敏化、活化,以金屬酸鹽作為金屬源,以NiSO4作為Ni源為例,NaH2PO2·H2O為還原劑,H3BO3為緩沖物質,調節鍍鎳溶液pH至9,后將活化的樣品倒入該溶液中,水浴60℃加熱。水浴加熱后的樣品靜置、分離、干燥,所獲得粉體采用放電等離子燒結技術燒結。該方法中Ni2+離子通過用無電沉積而被還原包覆在In2O3(ZnO)5陶瓷上,從而促進了Ni在In2O3(ZnO)5陶瓷粉體表面上的沉積,制成的粉體樣品形成核?殼結構。ZT值從純In2O3(ZnO)5的0.12增加到Ni包覆的In2O3(ZnO)5核?殼體材料的0.39,為增強ZnO?In2O3陶瓷的熱電性能提供了一種新的制備方法協同摻雜策略。
技術領域
本發明屬于材料技術領域,具體涉及一種過渡金屬包覆In2O3(ZnO)5核-殼結構熱電材料的制備方法。
背景技術
隨著社會經濟的不斷發展,環境和能源問題越來越被人類所重視。目前人類能源利用率低,超過55%能源以廢熱形式被排放到環境中,熱電材料(又稱溫差電材料),能夠利用固體內部載流子和聲子的輸運及其相互作用,且熱電器件無污染、結構輕便、體積小、壽命長,有可效地將熱能轉換為電能,故得到越來越多的重視。以熱電器件為核心元件的熱電模塊在半導體制冷、溫差電池等方面有著廣泛的應用前景。熱電材料的性能以無量綱熱電優值
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