[發明專利]一種超寬波段近完美吸收器及其制造方法有效
| 申請號： | 201811536414.0 | 申請日： | 2018-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN109324361B | 公開（公告）日： | 2020-11-10 |
| 發明（設計）人： | 于賜龍;趙藝 | 申請（專利權）人： | 深圳大學 |
| 主分類號： | G02B5/00 | 分類號： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 518060 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 波段 完美 吸收 及其 制造 方法 | ||
1.一種超寬波段近完美吸收器，其特征在于，包括：多個呈周期結構的微納單元；
各個所述微納單元包括：金屬襯底和由金屬膜層和電介質膜層交替層疊組成的金屬–電介質復合層；
所述金屬襯底的中間位置含有內陷的空腔，所述金屬-電介質復合層嵌入在所述空腔內；
所述金屬-電介質復合層為半圓柱結構，且其正中心為空心結構。
2.根據權利要求1所述的超寬波段近完美吸收器，其特征在于，所述空腔為半圓柱空心槽結構。
3.根據權利要求1所述的超寬波段近完美吸收器，其特征在于，每個所述金屬膜層和電介質膜層組成一個金屬-電介質對，且多個金屬-電介質對依次疊加形成金屬-電介質復合層。
4.根據權利要求1-3任一項所述的超寬波段近完美吸收器，其特征在于，所述金屬膜層的材料為鎢、金或銀；所述電介質膜層材料為聚甲基戊烯、氟化鎂或二氧化硅。
5.根據權利要求4所述的超寬波段近完美吸收器，其特征在于，疊加形成金屬-電介質復合層的金屬-電介質對的層數大于等于15層。
6.一種如權利要求1所述的超寬波段近完美吸收器的制造方法，其特征在于，包括：
步驟1：通過電子束蒸發工藝在金屬薄片的表面上沉積出一層金屬保護層；
步驟2：利用聚焦離子束在所述金屬保護層中間刻蝕出預定寬度的狹縫，使用各向異性濕法刻蝕法在金屬薄片上刻蝕出半圓柱槽；
步驟3：利用濕法刻蝕法移除所述金屬保護層，得到中間含有半圓柱槽的金屬襯底；
步驟4：在所述金屬襯底的半圓柱槽內，利用真空電子束蒸發沉積法交替沉積金屬層和電介質膜層，得到內嵌有金屬-電介質復合層的吸收器單元結構。
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