[發明專利]長爬電光電耦合器電流傳輸比中檔率控制方法和制作方法

在審

• 申請號: 201811535623.3
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN109801904A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 馮雪瑞;丁東民;楊拓
• 申請（專利權）人: 華潤半導體（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 張雪梅

本發明公開了一種長爬電光電耦合器電流傳輸比中檔率控制方法和制作方法，所述控制方法包括：根據光電耦合器的發光源的輻射通量進行分檔獲得第一分檔值；根據光電耦合器的受光器的電流增益進行分檔獲得第二分檔值；根據所述第一分檔值和第二分檔值進行配對以滿足預設置的配對范圍以控制所述電流傳輸比。本發明提供的實施例通過對發光源的輻射通量和受光器的電流增益進行配對，能夠有效提升長爬電光電耦合器的電流傳輸比的中檔率，在滿足長爬電光耦交流耐壓≥7000V，厚度≤2mm，爬電距離≥8mm的同時，對長爬電光電耦合器的電流傳輸比進行精確控制，能夠針對不同需求進行定制化，降低生產成本，并提升產品的競爭力。

技術領域

本發明涉及長爬電光電耦合器技術領域，特別是涉及一種長爬電光電耦合器電流傳輸比中檔率控制方法和制作方法。

背景技術

光電耦合器是一種特殊的半導體隔離器件，其工作原理是在光電耦合器輸入端加電信號使發光源發光，光的強度取決于激勵電流的大小，當所述發光源發出的光照射到封裝在一起的受光器后，所述受光器因光電效應產生光電流并由受光器輸出端引出，這樣就實現了電一光一電的轉換。并且由于所述光電耦合器實現了輸入輸出端的物理隔離，因此具備體積小、壽命長、無觸點、抗干擾等優點。

光電耦合器的幾個主要參數有：電流傳輸比CTR(Current Transfer Radio)，輸出管的工作電壓為規定值時，輸出電流和發光二極管正向電流之比為電流傳輸比CTR。爬電距離，兩相鄰導體或一個導體與相鄰電機殼表面的沿絕絕緣表面測量的最短距離。

為了提升光電耦合器的安全性，提高所述光電耦合器的絕緣距離，并使光電耦合器進一步小型化，長爬電光電耦合器應運而生。如圖1所示，長爬電光電耦合器的設計特點為發光源LED芯片和受光器PT芯片進行錯位對射。由于終端市場應用時對電流傳輸比CTR的精度要求比較高，而長爬電光電耦合器的設計因發光源芯片和受光器芯片的相對位置較遠導致形成的光路距離也較遠，為光耦CTR的穩定性帶來了不確定性。因此急需一種既能滿足光電耦合器的長爬電要求又能夠精確控制CTR的提高長爬電光電耦合器電流傳輸比中檔率控制方法和長爬電光電耦合器的制作方法。

發明內容

為了解決上述問題至少之一，本發明第一方面提供一種長爬電光電耦合器電流傳輸比中檔率控制方法，包括：

根據光電耦合器的發光源的輻射通量進行分檔獲得第一分檔值；

根據光電耦合器的受光器的電流增益進行分檔獲得第二分檔值；

根據所述第一分檔值和第二分檔值進行配對以滿足預設置的配對范圍以控制所述電流傳輸比。

進一步的，所述電流傳輸比和所述發光源的輻射通量成正比例關系。

進一步的，所述電流傳輸比和所述受光器的電流增益成正比例關系。

進一步的，所述方法還包括：

調整所述發光源和受光器的空間距離以控制所述電流傳輸比。

進一步的，所述電流傳輸比和所述空間距離成反比例關系。

進一步的，所述方法還包括：

調整對所述發光源進行硅膠保護的參數以控制所述電流傳輸比。

進一步的，控制所述硅膠的點膠氣壓及點膠時間用于調整所述硅膠保護使用的硅膠體積以控制所述電流傳輸比。

進一步的，調整所述硅膠保護的回溫時間和攪拌時間以控制所述電流傳輸比。

本發明第二方面提供一種長爬電光電耦合器的制作方法，包括：

根據光電耦合器的發光源的輻射通量進行分檔獲得第一分檔值，根據光電耦合器的受光器的電流增益進行分檔獲得第二分檔值；