[發(fā)明專利]鍍膜前板及光伏組件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811535205.4 | 申請(qǐng)日： | 2018-12-14 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111326593A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-06-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張昆;徐宏;傅詩(shī)奇;劉國(guó)強(qiáng);張群芳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 漢能移動(dòng)能源控股集團(tuán)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/048 | 分類號(hào)： | H01L31/048 |
| 代理公司： | 北京華夏泰和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11662 | 代理人： | 姜波 |
| 地址： | 100107 北京市朝陽(yáng)*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 鍍膜 組件 | ||
1.一種鍍膜前板，應(yīng)用于光伏組件內(nèi)，其特征在于，包括基材層和連接于所述基材層的鍍膜層，所述基材層由透光材料制成，所述鍍膜層由鍍膜材料制成，所述鍍膜層的厚度小于1μm，且所述鍍膜層的顏色與所述鍍膜層自身的厚度之間具有設(shè)定關(guān)系。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜前板，其特征在于，所述鍍膜材料包括氮化硅、二氧化硅、二氧化鈦、氧化錫和氮化鋁中的至少一者。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜前板，其特征在于，所述鍍膜材料由氮化硅制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜前板，其特征在于，所述鍍膜層的厚度為62nm-500nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜前板，其特征在于，所述基材層的厚度為1mm-15mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜前板，其特征在于，所述基材層由玻璃材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍膜前板，其特征在于，所述玻璃材料為可熱彎超白玻璃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜前板，其特征在于，所述鍍膜層經(jīng)反應(yīng)濺射形成于所述基材層的表面。
9.一種光伏組件，其特征在于，包括背板、電池芯片和權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)所述的鍍膜前板，所述電池芯片設(shè)置于所述背板與所述鍍膜前板之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光伏組件，其特征在于，所述電池芯片的相對(duì)兩側(cè)均通過(guò)膠膜分別與所述鍍膜前板和所述背板連接，所述電池芯片至少一側(cè)的膠膜包括光學(xué)膠。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
