[發(fā)明專利]晶圓載片臺

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811533651.1
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN109671664A
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李思;張雨;李偉;佀海燕;費玖海;蒲繼祖;尹影;李婷
• 申請（專利權(quán)）人: 北京半導(dǎo)體專用設(shè)備研究所（中國電子科技集團公司第四十五研究所）
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687
• 代理公司: 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 陳治位

1.一種晶圓載片臺，其特征在于，包括：基盤和多個接觸盤；

多個所述接觸盤均勻分布在所述基盤的邊沿，且所述接觸盤位于所述基盤表面的上方，多個所述接觸盤用于承載晶圓，以降低晶圓與載片臺之間的表面張力。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓載片臺，其特征在于，所述晶圓載片臺還包括：撓曲調(diào)節(jié)盤；

所述撓曲調(diào)節(jié)盤設(shè)置在所述基盤的中心，多個所述接觸盤沿所述撓曲調(diào)節(jié)盤的周向均勻分布，且所述撓曲調(diào)節(jié)盤的高度小于所述接觸盤的高度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓載片臺，其特征在于，所述接觸盤遠離所述基盤的一端設(shè)置有過渡面和承載面；

所述過渡面設(shè)置在所述接觸盤靠近所述基盤中心的一側(cè)，所述承載面設(shè)置在所述接觸盤遠離所述基盤中心的一側(cè)，并與所述過渡面連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓載片臺，其特征在于，所述接觸盤上還設(shè)有檢測孔，所述檢測孔設(shè)置在所述承載面上，且所述檢測孔的延伸方向與所述接觸盤的延伸方向相同，并貫穿所述接觸盤。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓載片臺，其特征在于，所述基盤上設(shè)置有多組流體噴射機構(gòu)；

多組流體噴射機構(gòu)均勻分布在所述基盤的中心和多個所述接觸盤之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓載片臺，其特征在于，每組所述流體噴射機構(gòu)包括第一噴嘴、第二噴嘴和第三噴嘴；

所述基盤表面上設(shè)置有第一連接口、第二連接口和第三連接口，所述第一連接口、第二連接口和所述第三連接口分別用于和所述第一噴嘴、第二噴嘴和第三噴嘴連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓載片臺，其特征在于，所述第二噴嘴的噴射范圍為第一噴嘴和第三噴嘴噴射范圍的2倍。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓載片臺，其特征在于，沿所述基盤的邊沿向所述基盤的中心的方向，所述基盤上表面逐漸升高。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓載片臺，其特征在于，所述基盤表面設(shè)置有多個排水孔和用于與多個檢測孔配合的多個通孔，所述通孔設(shè)置所述接觸盤的下方。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓載片臺，其特征在于，所述撓曲調(diào)節(jié)盤包括安裝座和定位凸起；

所述定位凸起設(shè)置在所述安裝座的中心，所述定位凸起遠離所述安裝座的一端設(shè)置有柔性抵接面，且所述柔性抵接面與所述定位凸起的側(cè)面之間設(shè)置有過渡面。