[發(fā)明專利]顯示裝置和顯示裝置的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811532633.1
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN109521590B
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 史曉琪;黃志鵬;劉博智;蔡壽金;陳國照
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G06K9/00;G06K9/20
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603
• 代理人: 于淼

1.一種顯示裝置，其特征在于，包括：

相對設(shè)置的背光模組和顯示面板；

所述顯示面板包括相對設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板位于所述彩膜基板背離所述背光模組的一側(cè)；

所述彩膜基板包括黑矩陣；

所述陣列基板包括多個指紋識別元件，所述指紋識別元件在所述背光模組上的正投影位于所述黑矩陣在所述背光模組上的正投影內(nèi)；

所述陣列基板還包括襯底和遮光層，所述指紋識別元件位于所述襯底靠近所述彩膜基板的一側(cè)，所述遮光層位于所述指紋識別元件靠近所述襯底的一側(cè)，所述遮光層包括多個第一鏤空部，所述指紋識別元件在所述襯底的正投影與所述第一鏤空部在所述襯底的正投影重疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

所述陣列基板包括多個薄膜晶體管，所述薄膜晶體管位于所述襯底靠近所述彩膜基板的一側(cè)，所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極和有源層，所述指紋識別元件為光敏二極管，所述光敏二極管包括第一半導(dǎo)體部、第二半導(dǎo)體部和電極部，所述第一半導(dǎo)體部位于與所述有源層同層設(shè)置、所述第二半導(dǎo)體部位于所述第一半導(dǎo)體部背離所述襯底的一側(cè)、所述電極部位于所述第二半導(dǎo)體部背離所述第一半導(dǎo)體部的一側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，

所述陣列基板包括光路準(zhǔn)直系統(tǒng)，所述光路準(zhǔn)直系統(tǒng)包括第一準(zhǔn)直層和第二準(zhǔn)直層，所述遮光層復(fù)用為所述第一準(zhǔn)直層，所述第二準(zhǔn)直層與所述柵極和/或所述源極同層設(shè)置，所述第二準(zhǔn)直層在所述襯底的正投影位于所述黑矩陣在所述襯底的正投影內(nèi)，且所述第二準(zhǔn)直層包括第二鏤空部，所述第二鏤空部在所述襯底的正投影與所述第一鏤空部在所述襯底的正投影重疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，

所述陣列基板還包括多個像素電極、多條第一柵極線、多條第二柵極線、多條第一數(shù)據(jù)線和多條第二數(shù)據(jù)線，所述薄膜晶體管包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第一柵極線電連接，所述第一薄膜晶體管的源極與所述第一數(shù)據(jù)線電連接，所述第一薄膜晶體管的漏極與所述像素電極電連接，所述第二薄膜晶體管的柵極與所述第二柵極線電連接，所述第二薄膜晶體管的源極與所述第二數(shù)據(jù)線電連接，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述指紋識別元件電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于，

所述指紋識別元件的所述電極部為金屬材料、且所述電極部與所述像素電極同層設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

所述彩膜基板包括多個色阻，至少部分色阻的顏色為白色。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

所述背光模組包括燈條和紅外光模塊，所述燈條向所述顯示面板提供光源，所述指紋識別元件通過所述紅外光模塊發(fā)出的紅外光線進行指紋識別。

8.一種顯示裝置的制作方法，其特征在于，包括：

提供彩膜基板，所述彩膜基板包括黑矩陣；

提供陣列基板，所述提供陣列基板包括：提供襯底；形成遮光層，所述遮光層包括多個第一鏤空部；形成指紋識別元件，在垂直于所述顯示面板的方向上，所述指紋識別元件與所述第一鏤空部重疊；

封裝所述彩膜基板和所述陣列基板形成所述顯示面板；

提供背光模組；

組裝所述顯示面板和所述背光模組，其中，組裝時將所述彩膜基板朝向所述背光模組的出光面；并且使所述指紋識別元件在所述背光模組上的正投影位于所述黑矩陣在所述背光模組上的正投影內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，

提供所述陣列基板包括：

沉積柵極材料層，圖案化所述柵極材料層，形成多個柵極；

沉積第一半導(dǎo)體材料層，圖案化所述第一半導(dǎo)體材料層，形成多個有源層和多個所述指紋識別元件的第一半導(dǎo)體部；

沉積源漏極材料層，圖案化所述源漏極材料層，形成多個源極、多個漏極；

沉積第二半導(dǎo)體材料層，圖案化所述第二半導(dǎo)體材料層，形成多個所述指紋識別元件的第二半導(dǎo)體部；

沉積金屬材料層，圖案化所述金屬材料層，形成多個所述指紋識別元件的電極部；

形成絕緣層。