[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811532604.5
• 申請(qǐng)日: 2018-12-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109616514A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙東光;占瓊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/423
• 分類號(hào): H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 姚璐華;王寶筠

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一襯底，所述襯底具有第一表面，所述第一表面具有柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層背離所述襯底的一側(cè)表面具有柵極；

形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述柵介質(zhì)層以及所述柵極；

基于所述柵極及其側(cè)壁的第一介質(zhì)層，朝向所述第一表面進(jìn)行第一次離子注入，在所述襯底內(nèi)形成輕摻雜源區(qū)以及輕摻雜漏區(qū)；

形成圖案化的第二介質(zhì)層，所述圖案化的第二介質(zhì)層覆蓋位于所述柵極側(cè)壁的第一介質(zhì)層，露出其他部分的所述第一介質(zhì)層；

基于所述柵極及其側(cè)壁的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，朝向所述第一表面進(jìn)行第二次離子注入，在所述襯底內(nèi)形成源區(qū)以及漏區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述提供一襯底包括：

在襯底的第一表面形成柵介質(zhì)層；

在所述柵介質(zhì)層上形成淺溝槽，所述淺溝槽延伸至所述襯底內(nèi)；

在所述淺溝槽內(nèi)填充介質(zhì)材料，形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

在所述柵介質(zhì)層背離所述襯底的一側(cè)表面形成柵極；

其中，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成圖案化的第二介質(zhì)層包括：

形成未圖案化的第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層覆蓋所述第一介質(zhì)層；

圖案化所述第二介質(zhì)層，保留所述第二介質(zhì)層位于所述柵極側(cè)壁的部分，去除其他部分的所述第二介質(zhì)層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層為二氧化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層為氮化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在平行于所述第一表面的方向上，所述柵極位于所述輕摻雜漏區(qū)與所述輕摻雜源區(qū)之間；

在垂直于所述第一表面的方向上，所述柵極與所述輕摻雜漏區(qū)和所述輕摻雜源區(qū)均不交疊。

7.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括：

襯底，所述襯底具有第一表面；

覆蓋所述第一表面的柵介質(zhì)層；

設(shè)置在所述柵介質(zhì)層背離所述襯底一側(cè)表面的柵極；

覆蓋所述柵極以及所述柵介質(zhì)層的第一介質(zhì)層；

基于所述柵極及其側(cè)壁的第一介質(zhì)層，形成于所述襯底內(nèi)的輕摻雜源區(qū)以及輕摻雜漏區(qū)；

覆蓋位于所述柵極側(cè)壁的第一介質(zhì)層的第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層露出其他部分的所述第一介質(zhì)層；

基于所述柵極及其側(cè)壁的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，形成于所述襯底內(nèi)的源區(qū)以及漏區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一介質(zhì)層為二氧化硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二介質(zhì)層為氮化硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在平行于所述第一表面的方向上，所述柵極位于所述輕摻雜漏區(qū)與所述輕摻雜源區(qū)之間；

在垂直于所述第一表面的方向上，所述柵極與所述輕摻雜漏區(qū)與所述輕摻雜源區(qū)均不交疊。