[發明專利]一種利用電沉積氫氧化鈷納米片制備成膜的方法

有效

• 申請號: 201811532328.2
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN109772179B
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 王海輝;洪細魯;魏嫣瑩;周勝;姚翔
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: B01D71/02
• 分類號: B01D71/02;B01D67/00;C25D9/04
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 陳智英

1.一種氫氧化鈷膜的應用，其特征在于：所述氫氧化鈷膜用于染料分子的分離；

所述氫氧化鈷膜通過以下方法制備得到：

（1）將導電基材進行預處理；

（2）通過電沉積方法在導電基材表面沉積氫氧化鈷納米片陣列；

（3）將步驟（2）得到的表面沉積氫氧化鈷納米片陣列的導電基材置于溶液中，超聲剝離，得到納米片分散液；

（4）將步驟（3）得到的分散液進行離心，取上層清液，通過真空抽濾堆積納米片成膜，獲得氫氧化鈷膜；步驟（2）所述電沉積的條件為電沉積時的溶液為硝酸鈷和硝酸銨的混合水溶液；電沉積時的電流密度為0.2~0.5 mA/cm²，電沉積的時間為30~90min；硝酸鈷的濃度為0.01~0.06mol/L，硝酸銨的濃度為0.025~0.125mol/L；

步驟（3）中所述溶液為聚乙烯吡咯烷酮的水溶液；溶液中聚乙烯吡咯烷酮質量濃度為0.15~0.2g/L。

2.根據權利要求1所述的應用，其特征在于：步驟（3）中所述超聲剝離的時間為5~15min；步驟（4）所述離心的條件為500~1000 rpm，10~20min；

步驟（1）中所述導電基材為ITO、FTO導電玻璃、鈦片、銅片；所述預處理是指采用水進行超聲清洗。

3.根據權利要求1所述的應用，其特征在于：所述染料分子是指尺寸為2nm及其以上的染料分子。

4.根據權利要求3所述的應用，其特征在于：所述染料分子為伊文思藍。