[發明專利]一種快速沉淀制備一維Mg(OH)2的方法

在審

• 申請號: 201811532174.7
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN109437260A
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 侴術雷;賴偉鴻;王云曉;李用成;李東祥;李亞書;宮毅濤
• 申請（專利權）人: 遼寧星空鈉電電池有限公司
• 主分類號: C01F5/14
• 分類號: C01F5/14;B82Y40/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及納米材料制備技術領域，且公開了一種快速沉淀制備一維Mg(OH)₂的方法，包括以下步驟：1)將0.13M Mg(NO₃)₂·6H₂O溶解在15ml水中并攪拌均勻，以備用；2)再將0.4M NaHCO₃溶解在步驟1中的15ml水中并攪拌均勻，直至兩種溶液混合析出大量可見白色沉淀；3)用水和乙醇將白色沉淀洗滌數次，再利用真空烘箱以60℃烘干，即得高純度一維納米材料Mg(OH)₂。該快速沉淀制備一維Mg(OH)₂的方法，利用碳酸氫鈉(NaHCO₃)為沉淀劑快速沉淀出目標材料；NaHCO₃具有低解離系數，可以緩慢的釋放出OH^?離子，平衡材料的生長速度和擴散速度，使得材料在生長過程中可以定向的按照一維方向生長。

技術領域

本發明涉及納米材料制備技術領域，具體為一種快速沉淀制備一維Mg(OH)₂的方法。

背景技術

Mg(OH)₂屬于金屬氫氧化物，因其特殊的晶體結構以及其衍生氧化物使這種物質在儲能、催化等諸多領域具有廣泛的潛在應用。快速大量制備此電極材料制備及離子導體材料合成領域具有廣泛用途。尤其是其特殊的一維結構具有定向的電子離子傳導方向，強大的應力承受能力以及短的軸向離子傳輸路徑，被認為是十分重要納米材料分支。

經文獻查閱匯總，現有制備一維Mg(OH)₂納米材料的方法主要是利用水熱法，在表面活性劑輔助下使得材料沿特定方向進行生長(Y.Li,M.Sui,Y.Ding,G.Zhang,J.Zhuang,C.Wang,Advanced materials 2000,12,818-821.L.Yan,J.Zhuang,X.Sun,Z.Deng,Y.Li,Materials Chemistry and Physics 2002,76,119-122)。該方法耗時長，成本高，需在高溫高壓下進行，難以大規模生產。另外，電化學沉積法和模板法也被應用于制備一維Mg(OH)₂納米棒(aL.Hao,C.Zhu,X.Mo,W.Jiang,Y.Hu,Y.Zhu,Z.Chen,Inorganic ChemistryCommunications 2003,6,229-232；bP.Tian,J.Ye,N.Xu,W.Gong,Q.Zhang,Y.Lin,G.Ning,Chemical Communications 2011,47,12008-12010.)，但是電化學沉積法耗時長，需要在基底上生長，不適合大量生產。

因此，發明一種可以簡單、快速制備一維Mg(OH)₂納米材料的方法將在未來的工業化，以及大量應用生產尤為重要。

發明內容

(一)解決的技術問題

針對現有技術的不足，本發明提供了一種快速沉淀制備一維Mg(OH)₂的方法，具備利用碳酸氫鈉(NaHCO₃)為沉淀劑快速沉淀出目標材料等優點，解決了現有制備一維Mg(OH)₂納米材料的方法主要是利用水熱法，在表面活性劑輔助下使得材料沿特定方向進行生長。該方法耗時長，成本高，需在高溫高壓下進行，難以大規模生產。另外，電化學沉積法和模板法也被應用于制備一維Mg(OH)₂納米棒，但是電化學沉積法耗時長，需要在基底上生長，不適合大量生產的問題。

(二)技術方案

為實現上述利用碳酸氫鈉(NaHCO₃)為沉淀劑快速沉淀出目標材料等目的，本發明提供如下技術方案：一種快速沉淀制備一維Mg(OH)₂的方法，本方法以Ba(NO₃)₂和NH₄HF₂為原料，蒸餾水為溶劑，利用液相沉淀法進行合成，包括以下步驟：