[發明專利]一種硫摻雜g-C3 有效
| 申請號： | 201811531193.8 | 申請日： | 2018-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN109395763B | 公開（公告）日： | 2021-11-09 |
| 發明（設計）人： | 徐世平;趙玉;張啟亮;李璐璐;岳欽艷;高寶玉 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | B01J27/24 | 分類號： | B01J27/24;C02F1/30;C02F101/38 |
| 代理公司： | 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 | 代理人： | 楊磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 摻雜 base sub | ||
1.一種硫摻雜的g-C3N4/C-dot多孔復合光催化劑的制備方法，該催化劑的化學組成為硫摻雜的C3N4和C-dot納米顆粒，催化劑的微觀結構中包含有棒狀結構，棒狀結構表面有多孔結構；所述催化劑的化學組成中，硫摻雜的C3N4和C-dot納米顆粒的質量比為1：(0.15%~1.2%)；
包括步驟如下：
（1）將三聚氰胺和三聚硫氰酸混合均勻，通過水熱反應制得硫摻雜的g-C3N4，即S-C3N4前驅體；
（2）將堿性物質和含碳有機物混合，超聲熱處理，將含碳有機物碳化，碳化產物進行透析，制得C-dot納米顆粒；
（3）將步驟（1）和（2）制得的S-C3N4前驅體和C-dot納米顆粒置于水中混合攪拌、干燥，然后進行煅燒，即得硫摻雜的g-C3N4/C-dot多孔復合光催化劑；
S-C3N4前驅體和C-dot的質量比1：（0.15%~1.2%），煅燒溫度為500~580℃。
2.根據權利要求1所述的硫摻雜g-C3N4/C-dot多孔復合光催化劑的制備方法，其特征在于，所述催化劑的化學組成中，硫摻雜的C3N4和C-dot納米顆粒的質量比為1：（0.5%~1%）。
3.根據權利要求1所述的硫摻雜g-C3N4/C-dot多孔復合光催化劑的制備方法，其特征在于，所述的C-dot納米顆粒的平均直徑為5-10nm。
4.根據權利要求1所述的硫摻雜g-C3N4/C-dot多孔復合光催化劑的制備方法，其特征在于，步驟（1）中三聚氰胺和三聚硫氰酸摩爾比為（0.5~2）：1。
5.根據權利要求1所述的硫摻雜g-C3N4/C-dot多孔復合光催化劑的制備方法，其特征在于，步驟（1）中水熱反應溫度為100℃~120℃。
6.根據權利要求1所述的硫摻雜g-C3N4/C-dot多孔復合光催化劑的制備方法，其特征在于，步驟（2）中所述的含碳有機物為葡萄糖，堿性物質為氫氧化鈉；
葡萄糖與氫氧化鈉的質量比為1：（0.05~0.15）；
超聲熱處理溫度50~80℃，反應時間為2~4 h；
透析分子量為1000~2000，透析時間為0.5~2 d。
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