[發明專利]一種可穿戴光電一體化自閉癥治療儀

在審

• 申請號: 201811530422.4
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN109432607A
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 童志前;韓鴻賓
• 申請（專利權）人: 首都醫科大學;首都醫科大學腦重大疾病研究中心（北京腦重大疾病研究院）
• 主分類號: A61N5/06
• 分類號: A61N5/06;A61N2/02
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 王海燕

1.一種可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：包括治療頭盔，所述治療頭盔的頭盔本體上設置有與電源電聯接的操作面板和納米多光子照射區，所述納米多光子照射區包括前額區光照探頭、頂骨區光照探頭、太陽穴區光照探頭和小腦部位光照探頭，所述操作面板上設置有分別與所述納米多光子照射區的各個區電聯接的光照射按鈕。

2.根據權利要求1所述的可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：所述前額區光照探頭設置在所述頭盔本體上對應人體前額區的位置，且所述前額區光照探頭采用波長為670±20nm的納米多光子照射。

3.根據權利要求1所述的可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：所述頂骨區光照探頭設置在所述頭盔本體上對應人體頂骨區顱骨的位置，且所述頂骨區光照探頭采用波長為670±20nm的納米多光子照射。

4.根據權利要求1所述的可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：所述太陽穴區光照探頭設置在所述頭盔本體上對應人體頭部兩側太陽穴的位置，且所述太陽穴區光照探頭采用波長為650±20nm的納米多光子照射。

5.根據權利要求1所述的可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：所述小腦部位光照探頭設置在所述頭盔本體上對應人體頭部小腦部位顱骨的位置，且所述小腦部位光照探頭采用波長為800±20nm的納米多光子照射。

6.根據權利要求1所述的可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：所述頭盔本體上還設置有人耳甲區磁貼片，所述人耳甲區磁貼片包括與低頻刺激器連接的左耳低頻刺激磁貼和右耳低頻刺激磁貼；所述低頻刺激器與所述電源電聯接。

7.根據權利要求6所述的可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：所述低頻刺激器通過所述操作面板上的低頻刺激按鈕與所述電源電聯接。

8.根據權利要求6所述的可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：所述左耳低頻刺激磁貼和右耳低頻刺激磁貼中均包括相互貼合連接的磁貼和導電貼片。

9.根據權利要求6所述的可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：所述低頻刺激器采用低頻直流波，該低頻直流波為連續波，且該低頻直流波的頻率為2Hz或40Hz，波寬為0.2ms，電刺激強度為1-4mA。

10.根據權利要求1所述的可穿戴光電一體化自閉癥治療儀，其特征在于：所述電源為可充電5V鋰電池，且所述頭盔本體中還設置有與所述電源電聯接的38度溫度控制過載保護器。