[發明專利]OLED裝置及其制作方法有效
| 申請號: | 201811529423.7 | 申請日: | 2018-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN109659343B | 公開(公告)日: | 2021-06-25 |
| 發明(設計)人: | 張興永 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 裝置 及其 制作方法 | ||
1.一種OLED裝置,其特征在于,包括基板、位于所述基板第一表面上的顯示區、位于所述顯示區兩側的非顯示區、以及覆蓋所述顯示區和非顯示區的封裝結構;其中,
所述非顯示區由可彎折的柔性襯底構成,所述柔性襯底朝向所述基板的第二表面彎曲,所述第二表面與第一表面相對,位于第一表面背面;
所述非顯示區與所述顯示區相鄰的邊緣處設置有至少一個第一凹槽結構,所述第一凹槽結構沿著第一方向延伸,所述第一方向為與所述顯示區和非顯示區的交界線平行的方向,所述非顯示區的頂部設置有至少一條平行的第二凹槽結構,所述第二凹槽結構沿著第一方向延伸,所述第一方向為與所述顯示區和非顯示區的交界線平行的方向,其中,
所述第一凹槽結構沿第二方向的橫截面為倒三角形或等腰梯形,所述第二方向與所述基板所在的方向平行且與所述第一方向垂直,當所述第一凹槽結構沿第二方向的橫截面為倒三角形時,所述倒三角形的一個頂角位于所述顯示區和非顯示區的交界線上,當所述第一凹槽結構沿第二方向的橫截面為等腰梯形時,所述梯形的對稱軸位于所述顯示區和非顯示區的交界線上;
所述封裝結構包括覆蓋所述顯示區、非顯示區和所述第二凹槽結構的無機薄膜,所述非顯示區的頂部的表面為鋸齒狀,使得所述無機薄膜呈褶皺狀。
2.根據權利要求1所述的OLED裝置,其特征在于,所述第一凹槽結構的深度小于等于所述非顯示區厚度的三分之二。
3.根據權利要求1所述的OLED裝置,其特征在于,所述無機薄膜的數量為至少一層,其材料為氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化鋁中的任意一種。
4.根據權利要求1所述的OLED裝置,其特征在于,所述非顯示區為疊層結構,所述疊層結構至少包括:
有機深孔層,所述有機深孔層包括貫穿所述基板的深孔,并用柔性有機材料填充所述深孔,用于增強非顯示區的柔韌性;
位于所述有機深孔層上方的金屬層,用于形成具有電連接功能的金屬走線;
位于所述金屬層上方的平坦化層,用于對所述金屬層進行平坦化;以及
位于所述金屬層上方的支撐柱,用于支撐形成發光層時使用的掩膜。
5.一種OLED裝置的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供基板;
形成位于所述基板第一表面上的顯示區;
形成環繞所述顯示區的非顯示區,所述非顯示區由可彎折的柔性襯底構成,所述柔性襯底朝向所述基板的第二表面彎曲,所述第二表面與第一表面相對,位于第一表面背面;其中,所述非顯示區與所述顯示區相鄰的邊緣處設置有至少一個第一凹槽結構,所述第一凹槽結構沿著第一方向延伸,所述第一方向為與所述顯示區和非顯示區的交界線平行的方向,所述非顯示區的頂部設置有至少一條平行的第二凹槽結構,所述第二凹槽結構沿著第一方向延伸,所述第一方向為與所述顯示區和非顯示區的交界線平行的方向;
其中,所述第一凹槽結構沿第二方向的橫截面為倒三角形或等腰梯形,所述第二方向與所述基板所在的方向平行且與所述第一方向垂直,當所述第一凹槽結構沿第二方向的橫截面為倒三角形時,所述倒三角形的一個頂角位于所述顯示區和非顯示區的交界線上,當所述第一凹槽結構沿第二方向的橫截面為等腰梯形時,所述梯形的對稱軸位于所述顯示區和非顯示區的交界線上;
形成覆蓋所述顯示區和非顯示區的封裝結構,所述封裝結構包括覆蓋所述顯示區、非顯示區和所述第二凹槽結構的無機薄膜,所述非顯示區的頂部的表面為鋸齒狀,使得所述無機薄膜呈褶皺狀。
6.根據權利要求5所述的OLED裝置的制作方法,其特征在于,所述第一凹槽結構的深度小于等于所述非顯示區厚度的三分之二。
7.根據權利要求5所述的OLED裝置的制作方法,其特征在于,所述非顯示區為疊層結構,所述疊層結構至少包括:
有機深孔層,所述有機深孔層包括貫穿所述基板的深孔,并用柔性有機材料填充所述深孔,用于增強非顯示區的柔韌性;
位于所述有機深孔層上方的金屬層,用于形成具有電連接功能的金屬走線;
位于所述金屬層上方的平坦化層,用于對所述金屬層進行平坦化;以及
位于所述金屬層上方的支撐柱,用于支撐形成發光層時使用的掩膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





