[發明專利]復合量子點材料、制備方法及其顯示裝置

在審

• 申請號: 201811529365.8
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN111187610A
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 李碧鳳
• 申請（專利權）人: 晟森科技有限公司
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/59;C09K11/67;C09K11/56;C09K11/88;C09K11/70;C09K11/74;C09K11/62;C09K11/64;C09K11/66;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L51/5
• 代理公司: 深圳市舜立知識產權代理事務所(普通合伙) 44335
• 代理人: 侯藝

1.一種復合量子點材料的制備方法，其特征在于，包括：

(A)提供至少一光學核心與一定量前驅物相鏈結；

(B)添加一表面活性劑或一非極性溶劑，使得所述至少一光學核心形成于所述定量前驅物結構的表面上；

(C)添加一含硅化合物，使得所述光學核心表面具有至少一硅的氧化物；以及

(D)形成外表包覆有所述至少一硅的氧化物材料的一復合量子點材料。

2.根據權利要求1所述的復合量子點材料的制備方法，其特征在于，所述表面活性劑為曲拉通X-100或壬基酚聚醚-5。

3.根據權利要求1所述的復合量子點材料的制備方法，其特征在于，所述含硅化合物為四乙基硅酸鹽、四甲基硅酸鹽或3-氨基丙基三乙氧基硅烷。

4.一種復合量子點材料，其特征在于，包括：

一定量前驅物，為至少一無機氧化物；

一光學核心，形成于所述定量前驅物的表面上；

一無機配體層，包覆于所述光學核心的表面上，所述無機配體層包括至少一硅的氧化物材料；以及

一水氧阻障層，包覆于所述無機配體層的表面上；

其中，所述水氧阻障層是由包括有至少一金屬氧化物的層積結構堆棧而成。

5.根據權利要求4所述的復合量子點材料，其特征在于，所述光學核心為具有化學通式MAX₃的一鈣鈦礦量子點，且所述M為陽離子，所述A為金屬離子，所述X為鹵素離子。

6.根據權利要求5所述的復合量子點材料，其特征在于，所述鈣鈦礦量子點為有機-無機雜化鈣鈦礦量子點或全無機鈣鈦礦量子點。

7.根據權利要求4所述的復合量子點材料，其特征在于，所述至少一硅的氧化物材料為二氧化硅、一氧化硅或其組合。

8.根據權利要求4所述的復合量子點材料，其特征在于，所述至少一金屬氧化物為氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁或其組合。

9.根據權利要求4所述的復合量子點材料，其特征在于，所述至少一無機氧化物為二氧化硅、一氧化硅或其組合。

10.一種復合量子點材料的制備方法，其特征在于，包括：

提供一光學核心，并對所述光學核心進行硅烷化處理；

添加一表面活性劑和一非極性溶劑于經硅烷化處理后的所述光學核心；以及

添加一含硅化合物，使得所述光學核心表面具有至少一硅的氧化物材料。

11.根據權利要求10所述的復合量子點材料的制備方法，其特征在于，在所述步驟(C)后還可執行一步驟(D)添加一含水化合物，所述含水化合物與所述含硅化合物進行水解和縮合反應，以形成一無機配體層。

12.根據權利要求11所述的復合量子點材料的制備方法，其特征在于，在所述步驟(D)后還可執行一步驟(E)混合一醋酸鋅水合物和乙醇，并添加至包覆有所述無機配體層的所述光學核心。

13.根據權利要求11所述的復合量子點材料的制備方法，其特征在于，在所述步驟(D)后還可執行一步驟(E’)添加異丙醇鈦或鈦酸四丁酯至包覆有所述無機配體層的所述光學核心。

14.根據權利要求12所述的復合量子點材料的制備方法，其特征在于，在所述步驟(E)后還可執行一步驟(F)將包覆有所述無機配體層的所述光學核心浸泡于氫氧化鈉-乙醇水溶液，形成一復合量子點材料。

15.根據權利要求13所述的復合量子點材料的制備方法，其特征在于，在所述步驟(E’)后還可執行一步驟(F’)將包覆有所述無機配體層的所述光學核心浸泡于水-醇溶液，形成一復合量子點材料。