[發明專利]一種數據巡檢方法、裝置和計算機可讀存儲介質

有效

• 申請號: 201811528501.1
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN109614052B
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發明（設計）人: 邵文豪
• 申請（專利權）人: 鄭州云海信息技術有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F11/07
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

本發明實施例公開了一種數據巡檢方法、裝置和計算機可讀存儲介質。判斷數據塊的錯誤bit數量是否大于或等于預設上限值；若是，則記錄數據塊的當前擦寫次數，并判斷數據塊的當前擦寫次數和預設存儲空間中記錄的上一次擦寫次數的差值是否小于預設值；當差值小于預設值時，將該數據塊標記為壞塊。在數據塊的錯誤bit數量大于或等于預設上限值，到將數據塊標記為壞塊中間增加一個緩沖的方式，降低了由于某次不穩定造成數據塊錯誤bit數量上升，而將該數據塊錯誤的標記為壞塊的情況的發生。在保證數據安全的前提下，最大限度地利用固態硬盤的使用價值，提升了固態硬盤的資源利用率。同時減少了用戶數據的搬移對用戶IO性能的影響。

技術領域

本發明涉及計算機存儲技術領域，特別是涉及一種數據巡檢方法、裝置和計算機可讀存儲介質。

背景技術

在大數據時代，海量數據的存儲位于越來重要的地位，在CPU等計算部件速率越來越高的同時，數據的存儲與讀取速率一直為系統瓶頸。

目前隨著NAND價格逐漸下降，固態硬盤的使用數量也逐年上升。不同于傳統硬盤，固態硬盤的使用是有壽命的，隨著擦寫(Program/Erase，PE)次數的增加，到達一定的擦寫次數，讀出錯的情況會隨之增加。

目前廣泛使用的NAND閃存類型為三層單元閃存(Triple Level Cell，TLC)，隨著PE次數的增加，NAND cell存儲數據的能力變弱，固態硬盤(Solid State Drives，SSD)系統需要在后臺進行數據的巡檢，在數據失效前將數據進行搬移。數據失效的判斷標準是根據數據中錯誤位數來衡量，當錯誤位數到達一定數值時認為此NAND Block已到達生命末期，不可繼續使用，需要標記成壞塊。但此時的NAND Block可能只是偶爾的一次高錯誤位數，并非已完全不可用，如果直接標記壞塊，會造成NAND資源的浪費。

可見，如何提升固態硬盤的資源利用率，是本領域技術人員亟待解決的問題。

發明內容

本發明實施例的目的是提供一種數據巡檢方法、裝置和計算機可讀存儲介質，可以提升固態硬盤的資源利用率。

為解決上述技術問題，本發明實施例提供一種數據巡檢方法，包括：

判斷數據塊的錯誤bit數量是否大于或等于預設上限值；

若是，則記錄所述數據塊的當前擦寫次數；

判斷所述數據塊的當前擦寫次數和預設存儲空間中記錄的上一次擦寫次數的差值是否小于預設值；

若是，則將所述數據塊標記為壞塊。

可選的，還包括：

當所述數據塊的當前擦寫次數和預設存儲空間中記錄的上一次擦寫次數的差值大于或等于預設值時，將所述當前擦寫次數替換上一次擦寫次數存儲至所述存儲空間。

可選的，所述判斷數據塊的錯誤bit數量是否大于或等于預設上限值包括：

按照預設時間間隔，周期性獲取所述數據塊的錯誤bit數量；

每獲取一次錯誤bit數量，則判斷所述錯誤bit數量是否大于或等于預設上限值。

可選的，在將所述數據塊標記為壞塊之后還包括：

判斷在預設時間內所述數據塊中的數據是否完成遷移；

若否，則展示數據遷移的告警提示。

本發明實施例還提供了一種數據巡檢裝置，包括第一判斷單元、記錄單元、第二判斷單元和標記單元；

所述第一判斷單元，用于判斷數據塊的錯誤bit數量是否大于或等于預設上限值；若是，則觸發所述記錄單元；

所述記錄單元，用于記錄所述數據塊的當前擦寫次數；