[發(fā)明專利]一種C/Si/SiOx 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811528222.5 | 申請日: | 2018-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN109616654B | 公開(公告)日: | 2020-12-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許家齊;王輝;周勇岐;曹勇 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥國軒高科動(dòng)力能源有限公司 |
| 主分類號: | H01M4/36 | 分類號: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/62 |
| 代理公司: | 合肥天明專利事務(wù)所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 汪貴艷 |
| 地址: | 230011 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 si sio base sub | ||
1.一種C/Si/SiOx材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
a、將第一碳源和SiOx粉料加入去離子水中,制成漿料后,將所述漿料中的水分揮發(fā),制得前驅(qū)體混合物;
b、將所述前驅(qū)體混合物置于氮?dú)饣蚨栊詺怏w中煅燒,制得C/SiOx材料;
c、將步驟b中的氮?dú)饣蚨栊詺怏w換為氮?dú)饣蚨栊詺怏w和硅烷氣體混合氣,繼續(xù)煅燒,制得Si/C/SiOx材料;
d、將步驟c中的氮?dú)饣蚨栊詺怏w和硅烷氣體混合氣換為氮?dú)饣蚨栊詺怏w和第二碳源混合氣,繼續(xù)煅燒,制得C/Si/SiOx材料;
所述C/Si/SiOx材料包括內(nèi)核的SiOx顆粒,所述SiOx顆粒的外層包覆有復(fù)合層,所述復(fù)合層由碳纖維或碳片和Si顆粒組成,所述復(fù)合層的外層包覆有碳層;
所述SiOx顆粒的粒徑D50為5~10μm;
所述C/Si/SiOx材料的碳含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%~8%。
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟a中,所述第一碳源為聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)、聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)中的一種或兩種的混合物,所述第一碳源和所述SiOx粉料的質(zhì)量比為(3~5):100;所述漿料的固含量為30%~40%。
3.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟a中,所述水分揮發(fā)的具體步驟為將所述漿料于90~95℃攪拌至水分完全揮發(fā)。
4.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟b、c、d中的煅燒均為壓力0.15~0.2MPa,800~950℃的回轉(zhuǎn)爐中煅燒1~2h,所述回轉(zhuǎn)爐的轉(zhuǎn)速為0.3~1轉(zhuǎn)/分鐘。
5.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟c中,所述氮?dú)饣蚨栊詺怏w和硅烷氣體的體積比為98:2~99:1。
6.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟d中,所述第二碳源為乙炔,所述氮?dú)饣蚨栊詺怏w和第二碳源的體積比為50:50~33:67。
7.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟d中,所述第二碳源為天然氣,所述氮?dú)饣蚨栊詺怏w和第二碳源的體積比為50:50~33:67。
8.如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的制備方法制備的C/Si/SiOx材料在用于制備鋰離子電池中的應(yīng)用。
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