[發明專利]一種發光二極管外延片及其制備方法

在審

• 申請號: 201811527613.5
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN109786512A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 郭炳磊;王群;葛永暉;呂蒙普;李鵬
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/02;H01L33/14;H01L33/26
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管外延片，所述發光二極管外延片包括襯底、N型半導體層、有源層、電子阻擋層和P型半導體層，所述N型半導體層、所述有源層、所述電子阻擋層和所述P型半導體層依次層疊在所述襯底上，其特征在于，所述發光二極管外延片還包括多個插入層，每個所述插入層的材料采用二維納米材料MoS₂，所述多個插入層間隔設置在所述有源層和所述P型半導體層之間。

2.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，每個所述插入層的厚度為0.3nm～2nm。

3.根據權利要求2所述的發光二極管外延片，其特征在于，位于各個所述插入層兩側的電子阻擋層的厚度為所述插入層的厚度的15倍～20倍。

4.根據權利要求3所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述多個插入層的數量為3個～10個。

5.根據權利要求1～4任一項所述的發光二極管外延片，其特征在于，最靠近所述有源層的插入層與相鄰的電子阻擋層的厚度比、最靠近所述P型半導體層的插入層與相鄰的電子阻擋層的厚度比中的至少一個，為各個所述插入層與相鄰的電子阻擋層的厚度比中的最大值。

6.一種發光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長N型半導體層、有源層、電子阻擋層和P型半導體層，并在所述有源層和所述P型半導體層之間間隔設置多個插入層，每個所述插入層的材料采用二維納米材料MoS₂。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，每個所述插入層采用如下方式形成：

分別對MoO₃粉末和S粉進行加熱，形成氣態的MoO₃和S；

氣態的MoO₃和S反應，形成MoS₂沉積在基底上，所述基底為所述有源層或者所述電子阻擋層。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述MoO₃粉末的加熱溫度為750℃～850℃，所述S粉的加熱溫度為100℃～150℃。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述MoO₃粉末和所述S粉所在環境的真空度為60torr～400torr。

10.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述MoS₂的沉積時間為10min～20min。