[發明專利]一種能夠改善發光質量和發光效率的半導體發光元件在審
| 申請號： | 201811527489.2 | 申請日： | 2018-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN111326624A | 公開（公告）日： | 2020-06-23 |
| 發明（設計）人： | 李建華;李全杰;劉向英 | 申請（專利權）人： | 西安智盛銳芯半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 毋雪 |
| 地址： | 710075 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 能夠 改善 發光 質量 效率 半導體 元件 | ||
1.一種能夠改善發光質量和發光效率的半導體發光元件，其特征在于，包括：
襯底層(11)；緩沖層(12)，位于所述襯底層(11)上，其中，所述緩沖層(12)包括第一緩沖層(121)、第二緩沖層(122)和第三緩沖層(123)，所述第一緩沖層(121)、所述第二緩沖層(122)和所述第三緩沖層(123)依次層疊于所述襯底層(11)上；
非故意摻雜氮化鎵層(13)，位于所述緩沖層(12)上；
超晶格層(14)，位于所述非故意摻雜氮化鎵層(13)上；
N型半導體層(15)，位于所述超晶格層(14)上；
N型摻雜層(16)，位于所述N型半導體層(15)上；
量子阱發光層(17)，位于所述N型摻雜層(16)上；
電子阻擋層(18)，位于所述量子阱發光層(17)上；
輔助功能層(19)，位于所述電子阻擋層(18)上，所述輔助功能層(19)包括依次層疊于所述電子阻擋層(18)上的第一P型摻雜層(191)、第二P型摻雜層(192)和第三P型摻雜層(193)，其中，所述第一P型摻雜層(191)、所述第二P型摻雜層(192)和所述第三P型摻雜層(193)的厚度依次增加；
P型摻雜層(20)，位于所述輔助功能層(19)上；
P型半導體層(21)，位于所述P型摻雜層(20)上。
2.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述第一緩沖層(121)和所述第三緩沖層(123)均為GaN緩沖層，所述第二緩沖層(122)為AlN緩沖層。
3.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述第一緩沖層(121)的厚度大于所述第二緩沖層(122)的厚度，所述第二緩沖層(122)的厚度大于所述第三緩沖層(123)的厚度。
4.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述超晶格層(14)為氮化鋁鎵超晶格層。
5.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述第一P型摻雜層(191)為P型InGaN層。
6.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述第一P型摻雜層(191)的摻雜元素為Mg，所述第一P型摻雜層(191)的摻雜濃度為1018-3×1018cm-3。
7.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述第二P型摻雜層(192)為P型InGaP層。
8.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述第二P型摻雜層(192)的摻雜元素為Mg，所述第二P型摻雜層(192)的摻雜濃度為1017-3×1017cm-3。
9.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述第三P型摻雜層(193)為P型AlGaAs層。
10.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，所述第三P型摻雜層(193)的摻雜元素為Mg，所述第三P型摻雜層(193)的摻雜濃度為1016-3×1016cm-3。
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