[發明專利]多層陶瓷電容器及制造多層陶瓷電容器的方法

有效

• 申請號: 201811524922.7
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN110828169B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: 樸龍;趙志弘
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/224;H01G4/30
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 武慧南;王春芝

1.一種多層陶瓷電容器，所述多層陶瓷電容器包括：

陶瓷主體，包括介電層，并且具有彼此相對的第一表面和第二表面、將所述第一表面和所述第二表面連接的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面至所述第四表面并且彼此相對的第五表面和第六表面；

多個內電極，設置在所述陶瓷主體中，暴露到所述第一表面和所述第二表面，并且分別具有暴露到所述第三表面或所述第四表面的一端；以及

第一側邊緣部和第二側邊緣部，分別設置在所述陶瓷主體的所述內電極暴露到的所述第一表面和所述第二表面上，

其中，所述陶瓷主體包括有效部和覆蓋部，所述有效部包括彼此面對設置的所述多個內電極，且所述介電層介于所述多個內電極之間，所述有效部形成電容，所述覆蓋部設置在所述有效部的上表面和下表面上，

所述第一側邊緣部被分成與所述第一側邊緣部的外表面相鄰的第一區域以及與暴露到所述第一表面的所述多個內電極相鄰的第二區域，所述第二側邊緣部被分成與所述第二側邊緣部的外表面相鄰的第一區域以及與暴露到所述第二表面的所述多個內電極相鄰的第二區域，

所述覆蓋部中的每個被分成與所述陶瓷主體的外表面相鄰的第一區域以及與所述多個內電極中的在所述多個內電極堆疊的方向上設置在所述陶瓷主體的最外部分中的內電極相鄰的第二區域，

所述覆蓋部的第二區域中包含的鎂的含量大于所述覆蓋部的第一區域中包含的鎂的含量，所述第一側邊緣部的第二區域中包含的鎂的含量大于所述第一側邊緣部的第一區域中包含的鎂的含量，所述第二側邊緣部的第二區域中包含的鎂的含量大于所述第二側邊緣部的第一區域中包含的鎂的含量，

其中，所述第一側邊緣部和所述第二側邊緣部在所述第一表面和所述第二表面上覆蓋所述覆蓋部中的每個的兩個端部。

2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述覆蓋部的第二區域中的鎂的含量基于所述覆蓋部中包含的100摩爾的鈦大于等于10摩爾且小于等于30摩爾，所述第一側邊緣部的第二區域中的鎂的含量基于所述第一側邊緣部中包含的100摩爾的鈦大于等于10摩爾且小于等于30摩爾，所述第二側邊緣部的第二區域中的鎂的含量基于所述第二側邊緣部中包含的100摩爾的鈦大于等于10摩爾且小于等于30摩爾。

3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一側邊緣部或所述第二側邊緣部的與設置在所述陶瓷主體的所述最外部分中的所述內電極的末端接觸的區域的厚度與所述第一側邊緣部或所述第二側邊緣部的與所述多個內電極中的在所述多個內電極堆疊的方向上設置在所述陶瓷主體的中央部分中的內電極的末端接觸的區域的厚度的比為大于等于0.9且小于等于1.0。

4.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一側邊緣部或所述第二側邊緣部的與所述陶瓷主體的角部接觸的區域的厚度與所述第一側邊緣部或所述第二側邊緣部的與所述多個內電極中的在所述多個內電極堆疊的方向上設置在所述陶瓷主體的中央部分中的內電極的末端接觸的區域的厚度的比為大于等于0.9且小于等于1.0。

5.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述介電層的厚度為0.4μm或更小，和/或所述內電極的厚度為0.4μm或更小。

6.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一側邊緣部和所述第二側邊緣部的平均厚度大于等于2μm且小于等于10μm。

7.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一側邊緣部的第一區域和所述第二側邊緣部的第一區域的厚度為10μm或更小，所述第一側邊緣部的第二區域和所述第二側邊緣部的第二區域的厚度為3μm或更小。