[發明專利]電致發光器件、其制備方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 201811524917.6
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN109616584B
• 公開（公告）日: 2021-01-01
• 發明（設計）人: 劉承俊
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;福州京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 李華;崔香丹

1.一種電致發光器件，其特征在于，包括：

襯底基板；

設置于所述襯底基板表面的發光元件；以及

封裝所述發光元件的封裝層；

其中，所述封裝層包括依次層疊的第一封裝薄膜、過渡層和第二封裝薄膜；所述過渡層包括完全碳化的高分子薄膜和經過疏水處理的具有螢石晶體結構的鑭系元素的氧化物膜層。

2.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述高分子薄膜選自聚丙烯腈薄膜和聚酰亞胺薄膜中的一種或多種。

3.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述高分子薄膜通過靜電紡絲或涂覆形成。

4.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述鑭系元素的氧化物選自氧化鑭、氧化鐠和氧化鉺中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述具有螢石晶體結構的鑭系元素的氧化物具有納米線、納米花或納米片結構。

6.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述經過疏水處理的具有螢石晶體結構的鑭系元素的氧化物膜層的水接觸角大于150度。

7.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述完全碳化的高分子薄膜的厚度為0.8-3μm；所述經過疏水處理的具有螢石晶體結構的鑭系元素的氧化物膜層的厚度為10-40μm。

8.一種電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板表面形成發光元件；以及

利用封裝層封裝所述發光元件；

其中，所述封裝層包括依次層疊的第一封裝薄膜、過渡層和第二封裝薄膜；所述過渡層包括完全碳化的高分子薄膜和經過疏水處理的具有螢石晶體結構的鑭系元素的氧化物膜層，形成所述過渡層包括：

形成完全碳化所述高分子薄膜；

在所述完全碳化的高分子薄膜上負載具有螢石晶體結構的鑭系元素的氧化物；及

對所述具有螢石晶體結構的鑭系元素的氧化物進行疏水處理；以及將所述過渡層上形成所述第二封裝薄膜。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，形成所述高分子薄膜通過靜電紡絲或涂覆形成。

10.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，通過水熱法將所述具有螢石晶體結構的鑭系元素的氧化物負載在所述完全碳化的高分子薄膜上。

11.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述疏水處理包括采用含全氟硅烷的溶液，對負載在所述完全碳化的高分子薄膜上的所述螢石晶體結構的鑭系元素的氧化物進行噴霧處理。

12.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-7任一所述的電致發光器件。