[發明專利]等離子體處理裝置和等離子體處理裝置的制作方法

有效

• 申請號: 201811524706.2
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN110010438B
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 野上隆文;金子裕是
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H05H1/46
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發明的技術問題為，能夠在該被處理體的面內均勻地進行被處理體的等離子體處理。本發明的解決方案為一種等離子體處理裝置，其從天線經由處理容器的頂板向處理容器內輻射微波，生成等離子體，對處理容器內的晶片進行等離子體處理，該等離子體處理裝置包括：按壓部件，其在與處理容器的頂板相對的面形成有槽，將天線按壓于處理容器的頂板；和彈性部件，其配置于槽內，由按壓部件與天線夾著而變形，對天線施加向處理容器的方向的按壓力，槽在以與頂板垂直的規定軸為中心的同心的多個圓環狀區域形成為以規定軸為中心的圓弧狀或圓環狀，彈性部件僅配置于上述多個圓環狀區域的一部分。

技術領域

本發明涉及對半導體晶片等被處理體進行等離子體處理的等離子體處理裝置及其制作方法。

背景技術

以往，作為對半導體晶片等被處理體實施等離子體CVD(Chemical VaporDeposition，化學氣相沉積)處理等規定等離子體處理的等離子體處理裝置，已知有利用微波的裝置。利用微波的等離子體處理裝置例如包括在處理容器的頂板側沿著規定軸配置的同軸波導管和從上側依次層疊滯波板和形成有多個隙縫的隙縫板而成的天線，上述天線配置于由電介質形成的處理容器的頂板的上部，上述同軸波導管的下端與上述隙縫板連接。利用該構成的等離子體產生裝置，來自微波發生器的微波經由同軸波導管在滯波板沿徑向以輻射狀傳播，從隙縫板的隙縫透過頂板輻射至處理容器的內部，產生電場，并產生等離子體。

在此種等離子體處理裝置中，可能會產生處理容器內的電場分布偏斜而等離子體處理在面內不均勻的情況。

與此相對，在專利文獻1的等離子體處理裝置中，沿著周向例如等間隔地設置有6個能夠從同軸波導管的外導體側向內導體側延伸的短管(stub)部件。并且，在該等離子體處理裝置中，通過改變各短管部件與上述內導體的外周面的距離，能夠調整同軸波導管內的電力線在周向的平衡，在處理容器內產生在周向上均勻的等離子體，確保等離子體處理的面內均勻性。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開2011-21607號

發明內容

發明要解決的技術問題

但是，使用專利文獻1所公開的短管部件也無法消除由等離子體處理裝置進行的等離子體處理的面內不均勻性。

本發明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種能夠對處理容器內的被處理體在該被處理體的面內均勻地進行等離子體處理的等離子體處理裝置。

用于解決技術問題的技術方案

用于解決上述技術問題的本發明是一種等離子體處理裝置，其從天線經由處理容器的頂板向該處理容器內輻射微波，生成等離子體，對該處理容器內的被處理體進行等離子體處理，上述等離子體處理裝置的特征在于，包括：按壓部件，其在與上述處理容器的上述頂板相對的面形成有多個槽，將上述天線按壓于上述處理容器的頂板；和多個彈性部件，其配置在上述多個槽中，被上述按壓部件和上述天線夾著而變形，對上述天線施加向上述處理容器的方向去的按壓力，上述多個槽和上述多個彈性部件分別在以與上述頂板垂直的規定軸為中心的、同心的多個圓環狀區域，被設置為以上述規定軸為中心的圓弧狀或圓環狀，上述多個彈性部件僅配置于上述多個圓環狀區域的一部分。

上述多個彈性部件各自僅配置于上述多個圓環狀區域的各圓環狀區域中的一部分。

上述按壓部件被二分為俯視時呈半圓形的部件，上述多個彈性部件各自僅配置于上述多個圓環狀區域各自的、除了包含上述半圓的中心和該半圓的頂部的扇形區域以外的部分。

上述多個槽各自僅形成于上述多個圓環狀區域各自的、除上述扇形區域以外的部分。

上述多個槽各自形成于上述多個圓環狀區域各自的整體。