[發明專利]一種在非連續導電膜上電沉積WO3薄膜的方法

有效

• 申請號: 201811524672.7
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN109402561B
• 公開（公告）日: 2019-11-01
• 發明（設計）人: 郭文熹;王亞楠;李戌一;李艷冉;劉向陽
• 申請（專利權）人: 廈門大學;廈門大學深圳研究院
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/35;C25D5/18;C25D9/04;D04H1/4309;D04H1/728;C23C28/04
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200
• 代理人: 馬應森

1.一種在非連續導電膜上電沉積WO₃薄膜的方法，其特征在于包括以下步驟：

1)利用磁控濺射技術在PET薄膜表面濺射WO₃，得WO₃/PET膜；

2)通過靜電紡絲獲得PVA納米纖維網，在所述PVA納米纖維網的表面形成金屬銀包覆，去除PVA模板得到納米槽導電網格并將其轉移至步驟1)所得的WO₃/PET膜上，得復合薄膜；

3)在步驟2)所得的復合薄膜上磁控濺射WO₃頂級層，形成三明治結構的透明導電基底；

4)采用電化學沉積法在三明治結構的透明導電基底制備WO₃變色層，完成在非連續導電膜上電沉積WO₃薄膜。

2.如權利要求1所述一種在非連續導電膜上電沉積WO₃薄膜的方法，其特征在于在步驟1)中，所述在PET薄膜表面濺射WO₃，WO₃預濺射的厚度為10～50nm。

3.如權利要求1所述一種在非連續導電膜上電沉積WO₃薄膜的方法，其特征在于在步驟2)中，所述去除PVA模板得到納米槽導電網格的具體方法為：通過靜電紡絲的方法得到PVA納米纖維網，再放入磁控濺射儀，通過磁控濺射在所述PVA納米纖維網表面沉積金屬Ag，由于磁控濺射角度設置，Ag濺射在PVA納米纖維的圓柱面的一半，浸水去除PVA模板后，得到納米槽導電網格。

4.如權利要求1所述一種在非連續導電膜上電沉積WO₃薄膜的方法，其特征在于在步驟3)中，所述在步驟2)所得的復合薄膜上磁控濺射WO₃形成三明治結構的透明導電基底是W/Ag NTs/W/PET組成的三明治導電基底，所述三明治結構中的金屬材料為Cu,Al,Au金屬。

5.如權利要求4所述一種在非連續導電膜上電沉積WO₃薄膜的方法，其特征在于所述三明治結構的透明導電基底由任意柔性透明薄膜和超細超長Ag納米槽導電網格組成，所述柔性透明薄膜在透光率不低于80％的情況下，方阻值達到6Ω/sq。

6.如權利要求5所述一種在非連續導電膜上電沉積WO₃薄膜的方法，其特征在于所述柔性透明薄膜選自高分子聚合物薄膜、紙張、柔性纖維中的一種；所述超細超長Ag納米槽導電網格通過磁控濺射技術得到。

7.如權利要求1所述一種在非連續導電膜上電沉積WO₃薄膜的方法，其特征在于在步驟3)中，所述WO₃頂級層的高度為30～50nm，電導率為10～10^-6S cm^-1。

8.如權利要求1所述一種在非連續導電膜上電沉積WO₃薄膜的方法，其特征在于在步驟4)中，所述采用電化學沉積法在三明治結構的透明導電基底制備WO₃變色層是通過電化學沉積法在三明治結構的W/Ag NTs/W/PET基底上制備WO₃電致變色層，經過多次循環穩定性測試后變色窗口穩定在～70％。

9.如權利要求1所述一種在非連續導電膜上電沉積WO₃薄膜的方法，其特征在于在步驟4)中，所述電化學沉積法為脈沖電沉積方法，其脈沖電壓參數為-1～0V，間歇時間為0.8～2.0s，所制備的鎢酸在間歇時間內轉化為WO₃，先形成島狀的結構，然后通過尖端電荷聚集效應，在頂部沉積WO₃，最后形成納米片的結構。

10.如權利要求9所述一種在非連續導電膜上電沉積WO₃薄膜的方法，其特征在于所述脈沖電沉積的條件是在親水的基底表面進行，其接觸角須小于50°，所述脈沖電沉積所制備的WO₃為納米片狀的多孔結構，其厚度在1～2μm，所制備的流程在不同的柔性基底表面構筑，經過不同比例的裁剪，貼合于不同的曲面而不影響其性能，應用于變色眼鏡，變色窗以及變色皮膚。