[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 201811524491.4 | 申請日: | 2018-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN110034162A | 公開(公告)日: | 2019-07-19 |
| 發明(設計)人: | 裵漢成;金世鎬;權善子;金東煜;安俊勇;崔相武;崔埈源 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;程月 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 下側邊 解復用電路 顯示區域 顯示裝置 左側邊 角部 傳輸線 解復用器 上側邊 右側邊 晶體管 掃描 導電層形成 電極 疊置 交匯 延伸 | ||
提供了一種顯示裝置。該顯示裝置包括:顯示區域,包括上側邊、下側邊、左側邊、右側邊以及上側邊、下側邊、左側邊和右側邊所交匯的傾斜的角部;解復用電路單元,與顯示區域的下側邊和連接到下側邊的角部相鄰;以及掃描傳輸線,從左側邊的外側朝向顯示區域延伸并且與位于角部外側的解復用電路單元疊置,其中,解復用電路單元包括解復用器晶體管,掃描傳輸線由與解復用器晶體管的電極不同的導電層形成。
本申請要求于2017年12月13日提交的第10-2017-0171373號韓國專利申請的優先權和權益,該韓國專利申請的全部內容通過引用包含于此。
技術領域
本發明的一些示例實施例的方面涉及一種顯示裝置。
背景技術
隨著多媒體的發展,顯示裝置的重要性已經增加。因此,已經使用了諸如液晶顯示器(LCD)和有機發光顯示器(OLED)的各種類型的顯示裝置。它們之中,因為作為自發光裝置的有機發光顯示器具有相對優異的視角,所以有機發光顯示器作為下一代顯示裝置引起了相當大的關注。
有機發光顯示器包括像素電路和驅動像素電路的驅動器。驅動器可以包括向像素電路提供掃描信號的掃描驅動器、向像素電路提供數據信號的數據驅動器、解復用器等。掃描驅動器和解復用器可以包括驅動電路。這些驅動電路可以陳列在與顯示區域相鄰的非顯示區域中。
由于顯示裝置的功能,非顯示區域成為一種無效空間。當顯示區域不具有正常的矩形形狀而具有諸如角被倒圓的形狀等的不規則形狀時,由于驅動電路的布局,無效空間會增大。
在該背景技術部分中公開的以上信息僅為了增強對背景技術的理解,因此,它可以包含不構成現有技術的信息。
發明內容
本發明的一些示例實施例的方面包括可以通過在具有不規則形狀的面板中對驅動電路的有效布局來減小無效空間的顯示裝置。
根據本發明的一些示例實施例,顯示裝置可以包括顯示區域和非顯示區域,顯示區域包括多個像素,非顯示區域與顯示區域相鄰并包括解復用電路單元和與解復用電路單元疊置的掃描傳輸線,其中,顯示區域包括:像素晶體管柵電極和掃描線,像素晶體管柵電極由第一導電層形成,掃描線連接到像素晶體管柵電極;存儲電容器的第一電極,由第二導電層形成;像素晶體管的第一電極和像素晶體管的第二電極,由第三導電層形成;數據線和連接電極,由第四導電層形成,數據線連接到像素晶體管的第一電極,連接電極連接到像素晶體管的第二電極;以及陽極電極,由第五導電層形成并且連接到連接電極,其中,解復用電路單元包括解復用器晶體管,解復用器晶體管包括解復用器柵電極以及彼此相對的數據輸入電極和數據輸出電極,并且解復用器柵電極置于數據輸入電極與數據輸出電極之間,其中,掃描傳輸線由與解復用器柵電極、數據輸入電極和數據輸出電極不同的導電層形成。
在實施例中,掃描傳輸線可以與掃描線電連接,數據輸出電極可以與數據線電連接。
在實施例中,掃描傳輸線可以由第四導電層形成。
在實施例中,解復用器柵電極可以由第一導電層形成,數據輸入電極和數據輸出電極可以由第三導電層形成。
在實施例中,其中,非顯示區域還可以包括:解復用器選擇線,連接到解復用器柵電極并且由第二導電層形成;以及數據傳輸線,連接到數據輸入電極并且由第一導電層形成。
在實施例中,掃描傳輸線可以由第五導電層形成。
在實施例中,顯示區域可以包括第一側邊;第二側邊,與第一側邊交叉;以及角部,第一側邊和第二側邊在角部處交匯并且具有大于90°的內角。
在實施例中,顯示區域的角部可以具有被倒圓的彎曲形狀,解復用電路單元包括與角部對應的被倒圓的彎曲形狀。
在實施例中,顯示裝置還可以包括與第一側邊相鄰并且連接到掃描傳輸線的掃描驅動器。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





