[發明專利]熱處理方法有效
| 申請號: | 201811524442.0 | 申請日: | 2018-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN110211894B | 公開(公告)日: | 2023-05-12 |
| 發明(設計)人: | 古川雅志;伊藤禎朗;好井浩喜 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 陳甜甜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱處理 方法 | ||
1.一種熱處理方法,其特征在于:是通過對襯底照射光而將該襯底加熱的熱處理方法,且包括:
加熱步驟,是對在腔室內保持在晶座的第1襯底從燈照射光而將該第1襯底加熱;及
冷卻步驟,是將所述燈熄滅且將所述第1襯底冷卻到能夠從所述腔室搬出的可搬出溫度;且
在所述第1襯底降溫到所述可搬出溫度之前,開始進行用來將所述第1襯底從所述腔室搬出的搬出準備動作;
所述搬出準備動作包括以下步驟:
將設置在用來將襯底相對于所述腔室搬入搬出的搬送開口部的閘閥打開;及
使相對于所述晶座進行襯底的移載的移載臂從比所述晶座更靠外側的退避位置移動到所述晶座的下方的移載動作位置,并且使所述移載臂上升而使豎立設置在所述移載臂的頂起銷突出到比所述晶座更靠上方,從而接收所述第1襯底;
所述熱處理方法還包括如下搬出步驟,即,設置在所述腔室外部的搬送機器人的搬送機器手從所述頂起銷接收已降溫到所述可搬出溫度的所述第1襯底,并將它從所述腔室搬出,且
在所述第1襯底從所述腔室被搬出之后,所述移載臂也不返回到所述退避位置,而是在所述移載動作位置待機;
在所述搬送機器手接收所述第1襯底并從所述搬送開口部退出之后至停止為止的移動期間內,判定所述搬送機器手上是否保持著所述第1襯底。
2.根據權利要求1所述的熱處理方法,其特征在于:還包括如下搬入步驟,即,在所述第1襯底從所述腔室被搬出之后,所述搬送機器人的所述搬送機器手將第2襯底從所述搬送開口部搬入到所述腔室內,且
在所述第2襯底被搬入到所述腔室內并開始進行對于所述第2襯底的處理之后,將所述閘閥關閉。
3.根據權利要求2所述的熱處理方法,其特征在于:所述第2襯底被搬入到所述腔室內之后,一邊對所述腔室供給處理氣體,一邊將所述閘閥關閉。
4.一種熱處理方法,其特征在于:是通過對襯底照射光而將該襯底加熱的熱處理方法,且包括:
加熱步驟,是對在腔室內保持在晶座的第1襯底從燈照射光而將該第1襯底加熱;及
冷卻步驟,是將所述燈熄滅且將所述第1襯底冷卻到能夠從所述腔室搬出的可搬出溫度;且
在所述第1襯底降溫到所述可搬出溫度之前,開始進行用來將所述第1襯底從所述腔室搬出的搬出準備動作;
所述搬出準備動作包括以下步驟:
將設置在用來將襯底相對于所述腔室搬入搬出的搬送開口部的閘閥打開;及
使相對于所述晶座進行襯底的移載的移載臂從比所述晶座更靠外側的退避位置移動到所述晶座的下方的移載動作位置,并且使所述移載臂上升而使豎立設置在所述移載臂的頂起銷突出到比所述晶座更靠上方,從而接收所述第1襯底;
所述熱處理方法還包括如下搬出步驟,即,設置在所述腔室外部的搬送機器人的搬送機器手從所述頂起銷接收已降溫到所述可搬出溫度的所述第1襯底,并將它從所述腔室搬出,且
在所述第1襯底從所述腔室被搬出之后,直到所述移載臂接收成為新的處理對象的第2襯底為止,所述移載臂也不返回到所述退避位置,而是在所述移載動作位置待機。
5.根據權利要求4所述的熱處理方法,其特征在于:在所述搬送機器手接收所述第1襯底并從所述搬送開口部退出之后至停止為止的移動期間內,判定所述搬送機器手上是否保持著所述第1襯底。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社斯庫林集團,未經株式會社斯庫林集團許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811524442.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種晶圓測試系統及晶圓測試方法
- 下一篇:熱處理方法及熱處理裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





