[發(fā)明專利]一種TFT驅(qū)動(dòng)背板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811524346.6
• 申請(qǐng)日: 2018-12-13
• 公開（公告）號(hào): CN109585516B
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙加湘;程文錦;賈可然
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種TFT驅(qū)動(dòng)背板，從上至下依次包括次數(shù)據(jù)線、第一絕緣層、電容上極板、第二絕緣層和電容下極板，其特征在于所述電容上極板的側(cè)部設(shè)置有一缺口，所述缺口處被所述第一絕緣層向上填充，并且填充所述缺口處的第一絕緣層設(shè)置有一豎直向下延伸直至所述電容下極板的第一過孔；所述缺口位于所述電容上極板邊角處，其為后續(xù)對(duì)所述第一絕緣層及所述第二絕緣層打孔連接所需，所述第一過孔通過所述缺口形成于所述電容下極板上；在蝕刻所述第一絕緣層及所述第二絕緣層形成所述第一過孔時(shí)，將曝光的余量向所述缺口位置調(diào)整余量，所述第一過孔的直徑小于所述缺口的任一邊長(zhǎng)，以保證蝕刻的所述第一過孔不會(huì)過量曝光導(dǎo)致對(duì)位偏移造成電容短路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT驅(qū)動(dòng)背板，其特征在于，所述缺口為正方形。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT驅(qū)動(dòng)背板，其特征在于，所述正方形的邊長(zhǎng)為3～6μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT驅(qū)動(dòng)背板，其特征在于，所述正方形的邊長(zhǎng)為4μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT驅(qū)動(dòng)背板，其特征在于，所述第一絕緣層覆蓋所述電容上極板，所述第一過孔的開口位于所述第一絕緣層上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT驅(qū)動(dòng)背板，其特征在于，所述第一過孔的開口的直徑為1～3μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT驅(qū)動(dòng)背板，其特征在于，所述第一過孔的開口的直徑為2μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT驅(qū)動(dòng)背板，其特征在于，所述次數(shù)據(jù)線通過所述第一過孔與所述電容下極板電連接。