[發(fā)明專利]蝕刻組合物及利用其的蝕刻方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811523773.2
• 申請(qǐng)日: 2018-12-13
• 公開（公告）號(hào): CN110028971B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳灝成;金鉉峻;白珍珠;李浚銀;全賢善
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: OCI有限公司
• 主分類號(hào): C09K13/06
• 分類號(hào): C09K13/06;H01L21/306
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;鄭毅

1.一種蝕刻組合物，其特征在于，包含：磷酸；以及由以下化學(xué)式1表示的化合物，

化學(xué)式1：

在所述化學(xué)式1中，

X選自由-(CH₂)_nNH₂、-(CH₂)_nSH及-(CH₂)_nOH組成的組中，

n為0至3的整數(shù)，

R₁及R₂分別獨(dú)立地選自由C₁～C₅的烷基、C₁～C₅的烷基胺基，C₁～C₅的烷硫基及C₁～C₅的烷醇基組成的組中，

所述R₁及R₂的烷基、烷基胺基、烷硫基及烷醇基分別獨(dú)立地被選自由氫、羥基、C₁～C₅的烷基、C₁～C₅的烷基胺基、C₁～C₅的烷硫基及C₁～C₅的烷醇基組成的組中的一種以上的取代基取代或非取代，在被多個(gè)取代基取代的情況下，它們相同或不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其特征在于，

R₁為C₁～C₅的烷基，

R₂選自由C₁～C₅的烷基胺基、C₁～C₅的烷硫基及C₁～C₅的烷醇基組成的組中，

所述R₂的烷基胺基、烷硫基及烷醇基分別獨(dú)立地被選自由氫、羥基、C₁～C₅的烷基、C₁～C₅的烷基胺基、C₁～C₅的烷硫基及C₁～C₅的烷醇基組成的組中的一種以上的取代基取代或非取代，在被多個(gè)取代基取代的情況下，它們相同或不同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其特征在于，

R₁為C₁～C₅的烷基，

R₂選自由-(CH₂)_mNH₂、-(CH₂)_mSH及-(CH₂)_mOH組成的組中，

m為1至5的整數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻組合物，其特征在于，X為-OH。

5.一種蝕刻組合物，其特征在于，包含：

磷酸；以及

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的蝕刻組合物，其特征在于，包含：

80重量百分比至90重量百分比的磷酸；以及

200ppm至50000ppm的

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的蝕刻組合物，其特征在于，所述蝕刻組合物的硅氧化膜的蝕刻速度為/分鐘至/分鐘。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的蝕刻組合物，其特征在于，還包含用于提高蝕刻速度的添加劑。

9.一種半導(dǎo)體器件的蝕刻方法，其特征在于，包括利用根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的蝕刻組合物，來對(duì)選自由硅氮化膜、硅氧化膜及它們的組合組成的組中的一種進(jìn)行蝕刻的步驟。