[發明專利]熱處理方法有效
| 申請號： | 201811523701.8 | 申請日： | 2018-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN110164790B | 公開（公告）日： | 2023-08-11 |
| 發明（設計）人： | 古川雅志 | 申請（專利權）人： | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 陳甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 熱處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種熱處理方法，其特征在于：通過從多個連續照明燈對保持在石英基座的基板照射光來將該基板加熱，且包括：
第1照射步驟，在來自所述多個連續照明燈的光照射開始時，將從排列著所述多個連續照明燈的光照射部的中央部放射的光的強度相對于從所述光照射部的端部放射的光的強度的比率也就是強度比設為小于100％的第1比率，對所述基板進行光照射；
第2照射步驟，在所述第1照射步驟之后，將所述強度比設為比100％高的第2比率來對所述基板進行光照射；以及
第3照射步驟，在所述第2照射步驟之后，將所述強度比設為小于100％的第3比率來對所述基板進行光照射；
在所述基板被保持在所述基座的時間點，所述基座的中央部的溫度為250℃以上，且所述基座的中央部與端緣部的溫度差為20℃以上。
2.根據權利要求1所述的熱處理方法，其特征在于：
所述第1比率為40％以上70％以下。
3.根據權利要求1所述的熱處理方法，其特征在于：
在所述第1照射步驟中，從所述多個連續照明燈進行5秒以上15秒以下的光照射。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
