[發明專利]鍵合晶片用支撐基板的制造方法和鍵合晶片的制造方法

有效

• 申請號: 201811523671.0
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN110010445B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發明（設計）人: 稗田大輔
• 申請（專利權）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/762
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李志強

1.鍵合晶片用支撐基板的制造方法，其為制造鍵合晶片中的支撐基板的方法，所述鍵合晶片由活性層用基板與前述支撐基板鍵合而成，所述方法的特征在于，具備：

第一步驟，將由硅單晶構成的第1硅晶片的要與前述活性層用基板鍵合的表面的氧化膜全部除去，

第二步驟，在氣相生長裝置內，在前述第1硅晶片的要與前述活性層用基板鍵合的表面上形成氧化膜，和

第三步驟，在前述形成的氧化膜上形成多晶硅層，

前述第二步驟在前述氣相生長裝置的加載鎖定室內生成臭氧而進行，

前述第三步驟在前述氣相生長裝置的處理室內進行。

2.根據權利要求1所述的鍵合晶片用支撐基板的制造方法，其中，前述第一步驟中，進一步除去前述氧化膜已全部除去的前述第1硅晶片表面的硅層。

3.根據權利要求2所述的鍵合晶片用支撐基板的制造方法，其中，除去的前述硅層的厚度為0.5μm以上。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的鍵合晶片用支撐基板的制造方法，其中，前述第二步驟中，形成的前述氧化膜的厚度為0.5nm以上且30nm以下。

5.根據權利要求1～3中任一項所述的鍵合晶片用支撐基板的制造方法，其中，前述第三步驟中，前述多晶硅層在900℃以下的溫度下形成。

6.鍵合晶片的制造方法，其特征在于，具備：

第四步驟，在作為前述活性層用基板的由硅單晶構成的第二硅晶片的表面或通過權利要求1～5中任一項的方法制造的前述支撐基板的表面上形成絕緣膜，和

第五步驟，經由前述多晶硅層和前述絕緣膜，將前述活性層用基板與前述支撐基板鍵合。