[發明專利]提供具有統一柵極的單元結構的方法在審
| 申請號： | 201811523624.6 | 申請日： | 2018-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN110034109A | 公開（公告）日： | 2019-07-19 |
| 發明（設計）人： | 周文升;康伯堅;彭永州;莊永旭;楊宇滔 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艷青;姚開麗 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單元結構 電路圖 占位符 有效柵極長度 產生電路 累加 統一 匹配 | ||
【權利要求書】：
1.一種提供具有多個統一柵極的單元結構的方法，其特征在于，包括：
接收電路圖，所述電路圖包括器件；
確定所述單元結構，其中所述多個統一柵極的累加有效柵極長度等于所述器件的柵極長度；
基于所述單元結構及所述器件產生平面圖，所述平面圖包括多個占位符的布置，所述多個占位符的所述布置與所述電路圖中所述單元結構的布置及所述器件的布置匹配；以及
基于所述平面圖、所述單元結構及所述電路圖產生電路布局，其中所述多個占位符被所述單元結構取代且所述單元結構能夠基于所述電路圖而連接到所述電路圖的其他部分。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
