[發明專利]單晶爐用導流筒外屏高度的調節方法及導流筒外屏和導流筒

在審

• 申請號: 201811523237.2
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN109355698A
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 廖寄喬;石磊;李軍;劉學文;譚周建;李丙菊;王躍軍;龔玉良
• 申請（專利權）人: 湖南金博碳素股份有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 益陽市銀城專利事務所(普通合伙) 43107
• 代理人: 陳禧

本發明公開了一種可調節導流筒外屏高度的單晶爐用導流筒外屏高度的調節方法，其特征是所述外屏包括上外屏、下外屏，上外屏下部設有上外屏連接部，下外屏上部設有下外屏連接部，均為軸向直壁段，上外屏連接部的外徑為下外屏連接部的內徑，上外屏連接部與下外屏連接部之間由連接裝置連接固定，達到調節外屏的高度，并將上外屏與下外屏連接成一體；相應內屏包括上內屏、下內屏，上內屏連接部的外徑為下內屏連接部的內徑，上內屏連接部可在下內屏連接部內滑動；本發明方法可靠，結構簡單，導流筒的外屏、內屏采用模塊化組裝，具有高度可調的特點，可滿足不同熱場的需要，還能單獨更換，節約成本。

技術領域

本發明涉及一種單晶爐熱場零件，具體地說是一種單晶爐用導流筒，特別是涉及一種可調節導流筒外屏高度的單晶爐用導流筒外屏高度的調節方法及導流筒外屏和導流筒。

背景技術

導流筒是單晶硅拉制爐熱場系統的關鍵元件之一，主要用于控制熱場的軸向溫度梯度和引導氬氣流。導流筒阻隔單晶爐體以及熔硅對晶體的熱輻射，利于晶體散熱，形成晶體生長所需的溫度梯度，以提高晶體生長速度；引導由單晶爐頂從上向下吹的氬氣集中地噴吹到固液界面附近，維持其清潔度，同時更加有利于晶體散熱，加大晶體生長所需的溫度梯度，以提高晶體生長速度；對高溫硅熔體起保溫作用，節約能源。目前，導流筒的外屏一般采用碳/碳復合材料，其具有高強度、耐沖刷、壽命長、安全可靠等特點。雖說內屏一般為石墨材質，但由于其所處環境清潔、安全，也有較長的使用壽命。

近幾年，單晶爐熱場大尺寸化的速度越來越快，為了盡可能的利用現有設備，單晶廠商充分挖掘熱場潛能，通過新材料的應用，不斷升級擴容，增加投料量。其中一種方法是通過增加軸向空間來加高坩堝。由于導流筒與坩堝屬匹配關系，因此，導流筒的高度也要隨坩堝的增高而增高。這樣，導流筒的外屏與內屏往往在失效前就因熱場升級擴容而遭淘汰，形成了巨大的浪費。

發明內容

本發明的目的是提供一種可調節導流筒外屏高度的單晶爐用導流筒外屏高度的調節方法及導流筒外屏和導流筒。

本發明是采用如下技術方案實現其發明目的的，一種單晶爐用導流筒外屏高度的調節方法，所述外屏包括上外屏、下外屏，上外屏下部設有上外屏連接部，下外屏上部設有下外屏連接部，均為軸向直壁段，上外屏連接部的外徑為下外屏連接部的內徑，上外屏連接部與下外屏連接部之間由連接裝置連接固定，達到調節外屏的高度，并將上外屏與下外屏連接成一體。

本發明所述連接裝置包括在上外屏連接部上設有外螺紋，下外屏連接部上設有內螺紋；上外屏連接部與下外屏連接部之間通過螺紋連接將上外屏與下外屏連接成一體并達到調節外屏的高度。

為防止上外屏、下外屏之間發生滑動，本發明上外屏連接部上設有止滑螺孔。

為提醒導流筒外屏已達設計最大高度，本發明下外屏連接部上設有警示槽。

一種導流筒外屏，它包括上外屏、下外屏，上外屏下部設有上外屏連接部，下外屏上部設有下外屏連接部，均為軸向直壁段，上外屏連接部上設有外螺紋，下外屏連接部上設有內螺紋；上外屏連接部與下外屏連接部之間通過螺紋連接將上外屏與下外屏連接成一體并達到調節外屏的高度。

為防止上外屏、下外屏之間發生滑動，本發明上外屏連接部上設有止滑螺孔。

為提醒導流筒外屏已達設計最大高度，本發明下外屏連接部上設有警示槽。

一種采用如上所述導流筒外屏的導流筒，它包括內屏，所述內屏包括上內屏、下內屏，上內屏下部設有上內屏連接部，下內屏上部設有下內屏連接部，均為軸向直壁段，上內屏連接部的外徑為下內屏連接部的內徑，上內屏連接部可在下內屏連接部內滑動。

本發明所述連接裝置包括在上外屏連接部上沿其軸向至少設有2組定位通孔，每一組定位通孔均布在上外屏連接部的同一高度上，下外屏連接部上設有1組定位螺孔；上外屏連接部與下外屏連接部之間由定位螺栓通過定位通孔、定位螺孔將上外屏與下外屏連接成一體并達到調節外屏的高度。