[發明專利]應用于電致發光器件的高離散納米晶發光層及基于其的電致發光器件

在審

• 申請號: 201811523138.4
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN111326660A
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 王向華;黃玲玲;陳幸福;胡鵬;李博
• 申請（專利權）人: 合肥工業大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y20/00
• 代理公司: 安徽省合肥新安專利代理有限責任公司 34101
• 代理人: 盧敏

1.應用于電致發光器件的高離散納米晶發光層，其特征在于：所述高離散納米晶發光層是以共軛有機小分子作為主體材料、以納米晶發光體作為客體材料構成的主客體復合發光層；

其中：共軛有機小分子為P型半導體，在發光層中二維取向結晶生長，面內場效應遷移率大于0.5cm²V^-1s^-1；納米晶發光體以充分離散的形式分布在主體材料中，且納米晶發光體在發光層中的體積分數不超過5％。

2.根據權利要求1所述的應用于電致發光器件的高離散納米晶發光層，其特征在于：通過調整發光層中納米晶發光體的體積分數，可以連續地調節發光層的空穴注入比，可變化范圍不低于6個數量級，從而精確控制載流子平衡，實現高量子效率的電致發光。

3.根據權利要求1所述的應用于電致發光器件的高離散納米晶發光層，其特征在于：所述共軛有機小分子為C8-BTBT，所述納米晶發光體為鉛鹵鈣鈦礦量子點。

4.根據權利要求3所述的應用于電致發光器件的高離散納米晶發光層，其特征在于：C8-BTBT分子結構的中間骨架是π平面共軛結構，兩端或兩側具有烷基鏈；所述C8-BTBT與納米晶通過溶液自組裝形成的發光層薄膜中，C8-BTBT的X-射線衍射具有(00l)面外取向特征峰，分子的π平面共軛結構沿襯底表面方向自組裝，載流子在面內方向上的遷移率大于垂直于襯底表面的遷移率。

5.一種權利要求1～4中任意一項所述的高離散納米晶發光層的制備方法，其特征在于：是將共軛有機小分子與納米晶發光體均勻分散在有機溶劑中，然后通過旋涂法或溶液剪切法成膜獲得。

6.根據權利要求5所述的高離散納米晶發光層的制備方法，其特征在于：

首先配制前驅體溶液：按照納米晶發光體與共軛有機小分子的質量比為1:3-4，將共軛有機小分子與納米晶發光體均勻分散在有機溶劑中，獲得前驅體溶液，其中納米晶的濃度為5-15mg/mL；

然后通過旋涂法或溶液剪切法將前驅體溶液在目標基底上成膜，形成高離散納米晶發光層；

旋涂法的具體方式為：采用旋涂儀將所述前驅體溶液均勻旋涂在目標基底上，然后真空干燥，即形成高離散納米晶發光層；

溶液剪切法采用刮涂法或提拉法；刮涂法的具體方式為：將所述前驅體溶液滴在目標基底上進行刮涂，同時目標基底溫度保持在90℃，刮刀剪切速率為1cm/s、刀片的傾斜角度為45°，刮涂成膜后自然干燥，即形成高離散納米晶發光層；提拉法的工藝參數如下：浸漬速度30mm/min，浸漬時間180s，提拉速度5mm/min。

7.一種基于權利要求1～4中任意一項所述的高離散納米晶發光層的電致發光器件，其特征在于：是以ITO導電玻璃作為襯底，在所述襯底上依次設置有作為電子傳輸層的ZnO薄膜、高離散納米晶發光層、作為空穴傳輸層的CBP薄膜、作為空穴注入層的MoO₃層、以及作為陽極的Al層。

8.根據權利要求7所述的高離散納米晶發光層的電致發光器件，其特征在于：所述ZnO薄膜為Mg、Li共摻雜的ZnO薄膜。