[發明專利]一種仿真MOS管放大電路失調的方法及裝置在審
| 申請號： | 201811522919.1 | 申請日： | 2018-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN109727616A | 公開（公告）日： | 2019-05-07 |
| 發明（設計）人： | 馬亮;安友偉;余作歡;李建球;楊小龍;劉大海;張登軍;張亦鋒;李迪;逯釗琦 | 申請（專利權）人： | 珠海博雅科技有限公司 |
| 主分類號： | G11C5/14 | 分類號： | G11C5/14;G06F17/50 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 陳慧華 |
| 地址： | 519080 廣東省珠海市唐家灣鎮大學路*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 網表文件 仿真平臺 隊列 失調 分布排列 失調電壓 隨機生成 遍歷 匹配 數學 | ||
1.一種仿真MOS管放大電路失調的方法，其特征在于：包括以下步驟：
失調電壓仿真平臺根據MOS管參數隨機生成參數隊列；
將隨機生成的參數隊列按照一種數學分布方式分布，生成網表文件；
失調電壓仿真平臺遍歷全部網表文件進行仿真；
將仿真數據進行統計，得出失調電壓的分布規律。
2.根據權利要求1所述的一種仿真MOS管放大電路失調的方法，其特征在于：MOS管的參數包括MOS管的長度和寬度。
3.根據權利要求2所述的一種仿真MOS管放大電路失調的方法，其特征在于：在隨機生成參數隊列之前，獲取MOS管的長度和寬度作為失調電壓仿真平臺的輸入參數。
4.根據權利要求1所述的一種仿真MOS管放大電路失調的方法，其特征在于：數學分布方式為正態分布。
5.根據權利要求4所述的一種仿真MOS管放大電路失調的方法，其特征在于：在生成網表文件之前，獲取正態分布的均值和均方差。
6.根據權利要求1所述的一種仿真MOS管放大電路失調的方法，其特征在于：所述失調電壓仿真平臺采用蒙特卡洛模型進行仿真。
7.一種仿真MOS管放大電路失調的裝置，其特征在于：包括：
隊列生成模塊，用于失調電壓仿真平臺根據MOS管參數隨機生成參數隊列；
網表生成模塊，用于將隨機生成的參數隊列按照一種數學分布方式分布，生成網表文件；
仿真模塊，用于失調電壓仿真平臺遍歷全部網表文件進行仿真；處理輸出模塊，用于將仿真數據進行統計，得出失調電壓的分布規律。
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